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Capacité de jonction de la photodiode Calculatrice

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✖La permittivité du semi-conducteur fait référence à sa capacité à autoriser un champ électrique. C'est une propriété matérielle qui caractérise la façon dont le semi-conducteur répond à un champ électrique.ⓘ Permittivité du semi-conducteur [ε_r]			+10% -10%
✖La zone de jonction est la zone de coupe transversale de la région d'appauvrissement, généralement perpendiculaire à la direction du flux de courant.ⓘ Zone de jonction [A_j]			+10% -10%
✖La largeur de la couche d'épuisement est la distance à travers la région proche de la jonction pn où les porteurs de charge mobiles (électrons et trous) ont été considérablement épuisés ou supprimés.ⓘ Largeur de la couche d'épuisement [w]			+10% -10%

✖La capacité de jonction est la capacité associée à la région d'appauvrissement d'un dispositif semi-conducteur, comme une diode ou un transistor.ⓘ Capacité de jonction de la photodiode [C_j]

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Capacité de jonction de la photodiode Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de jonction = Permittivité du semi-conducteur*Zone de jonction/Largeur de la couche d'épuisement
C_j = ε_r*A_j/w
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de jonction - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction est la capacité associée à la région d'appauvrissement d'un dispositif semi-conducteur, comme une diode ou un transistor.
Permittivité du semi-conducteur - (Mesuré en Farad par mètre) - La permittivité du semi-conducteur fait référence à sa capacité à autoriser un champ électrique. C'est une propriété matérielle qui caractérise la façon dont le semi-conducteur répond à un champ électrique.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la zone de coupe transversale de la région d'appauvrissement, généralement perpendiculaire à la direction du flux de courant.
Largeur de la couche d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la couche d'épuisement est la distance à travers la région proche de la jonction pn où les porteurs de charge mobiles (électrons et trous) ont été considérablement épuisés ou supprimés.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Permittivité du semi-conducteur: 11.7 Farad par mètre --> 11.7 Farad par mètre Aucune conversion requise
Zone de jonction: 8.6 Mètre carré --> 8.6 Mètre carré Aucune conversion requise
Largeur de la couche d'épuisement: 9 Mètre --> 9 Mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_j = ε_r*A_j/w --> 11.7*8.6/9

Évaluer ... ...

C_j = 11.18

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

11.18 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

11.18 Farad <-- Capacité de jonction

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Gowthaman N.

Institut de technologie de Vellore (Université VIT), Chennai

Gowthaman N. a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Puissance équivalente au bruit

LaTeX Aller Puissance équivalente au bruit = [hP]*[c]*sqrt(2*Charge de particules*Courant sombre)/(Efficacité quantique*Charge de particules*Longueur d'onde de la lumière)

Capacité de jonction de la photodiode

LaTeX Aller Capacité de jonction = Permittivité du semi-conducteur*Zone de jonction/Largeur de la couche d'épuisement

Bruit de courant sombre

LaTeX Aller Bruit de courant sombre = 2*Bande passante post-détection*[Charge-e]*Courant sombre

Résistance de charge

LaTeX Aller Résistance à la charge = 1/(2*pi*Bande passante post-détection*Capacitance)

Capacité de jonction de la photodiode Formule

LaTeX Aller

Capacité de jonction = Permittivité du semi-conducteur*Zone de jonction/Largeur de la couche d'épuisement
C_j = ε_r*A_j/w

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