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Jonction Tension intégrée VLSI Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La température reflète la chaleur ou le froid d’un objet ou d’un environnement.ⓘ Température [T]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_A]			+10% -10%
✖La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.ⓘ Concentration des donneurs [N_D]			+10% -10%
✖La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.ⓘ Concentration intrinsèque [N_i]			+10% -10%

✖La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.ⓘ Jonction Tension intégrée VLSI [Ø₀]

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Jonction Tension intégrée VLSI Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension intégrée de jonction = ([BoltZ]*Température/[Charge-e])*ln(Concentration d'accepteur*Concentration des donneurs/(Concentration intrinsèque)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 5 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23

Fonctions utilisées

ln - Le logarithme naturel, également connu sous le nom de logarithme de base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)

Variables utilisées

Tension intégrée de jonction - (Mesuré en Volt) - La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.
Température - (Mesuré en Kelvin) - La température reflète la chaleur ou le froid d’un objet ou d’un environnement.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.
Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Température: 300 Kelvin --> 300 Kelvin Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Concentration des donneurs: 1E+17 1 par centimètre cube --> 1E+23 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Concentration intrinsèque: 14500000000 1 par centimètre cube --> 1.45E+16 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Évaluer ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.75463200359389 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.75463200359389 ≈ 0.754632 Volt <-- Tension intégrée de jonction

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal