Charge de couche d'inversion dans PMOS Calculatrice

✖La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La tension entre grille et source d'un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C'est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET.ⓘ Tension entre la porte et la source [V_GS]			+10% -10%
✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [V_T]			+10% -10%

✖La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.ⓘ Charge de couche d'inversion dans PMOS [Q_p]

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Charge de couche d'inversion dans PMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Charge de couche d'inversion = -Capacité d'oxyde*(Tension entre la porte et la source-Tension de seuil)
Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Charge de couche d'inversion - (Mesuré en Coulomb au mètre carré) - La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde est un paramètre important qui affecte les performances des dispositifs MOS, tels que la vitesse et la consommation d'énergie des circuits intégrés.
Tension entre la porte et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre grille et source d'un transistor à effet de champ (FET) est appelée tension grille-source (VGS). C'est un paramètre important qui affecte le fonctionnement du FET.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité d'oxyde: 0.0008 Farad --> 0.0008 Farad Aucune conversion requise
Tension entre la porte et la source: 2.86 Volt --> 2.86 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

Q_p = -C_ox*(V_GS-V_T) --> -0.0008*(2.86-0.7)

Évaluer ... ...

Q_p = -0.001728

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

-0.001728 Coulomb au mètre carré --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

-0.001728 Coulomb au mètre carré <-- Charge de couche d'inversion

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Aman Dhussawat

INSTITUT DE TECHNOLOGIE GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NEW DELHI

Aman Dhussawat a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

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Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

LaTeX Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

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