Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).ⓘ Paramètre de transconductance [K_n]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.ⓘ Tension aux bornes de l'oxyde [V_ox]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.ⓘ Tension entre la porte et la source [V_gs]			+10% -10%

✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source [i_d]

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Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est le produit du paramètre de transconductance du processus et du rapport d'aspect du transistor (W/L).
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension entre la porte et la source - (Mesuré en Volt) - La tension entre la grille et la source est la tension qui tombe aux bornes de la grille-source du transistor.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance: 2.95 Milliampère par volt carré --> 0.00295 Ampère par volt carré (Vérifiez la conversion ici)
Tension aux bornes de l'oxyde: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension entre la porte et la source: 3.34 Volt --> 3.34 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs --> 0.00295*(3.775-2)*3.34

Évaluer ... ...

i_d = 0.017489075

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.017489075 Ampère -->17.489075 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

17.489075 ≈ 17.48907 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Prahalad Singh

Collège d'ingénierie et centre de recherche de Jaipur (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh a validé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

< Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

LaTeX Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

LaTeX Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

LaTeX Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

< Actions CV des amplificateurs de scène courants Calculatrices

Résistance d'entrée de l'amplificateur émetteur commun

LaTeX Aller Résistance d'entrée = (1/Résistance de base+1/Résistance de base 2+1/Résistance d'entrée de petit signal)^-1

Impédance d'entrée de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Impédance d'entrée = (1/Résistance de l'émetteur+1/Résistance d'entrée de petit signal)^(-1)

Tension fondamentale dans l'amplificateur à émetteur commun

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance d'entrée*Courant de base

Courant d'émetteur de l'amplificateur à base commune

LaTeX Aller Courant de l'émetteur = Tension d'entrée/Résistance de l'émetteur

Courant de drain instantané utilisant la tension entre le drain et la source Formule

LaTeX Aller

Courant de vidange = Paramètre de transconductance*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil)*Tension entre la porte et la source
i_d = K_n*(V_ox-V_t)*V_gs

Qu'est-ce que MOSFET et son application?

Le MOSFET est utilisé pour commuter ou amplifier des signaux. La capacité de changer la conductivité avec la quantité de tension appliquée peut être utilisée pour amplifier ou commuter des signaux électroniques. Les MOSFET sont maintenant encore plus courants que les BJT (transistors à jonction bipolaire) dans les circuits numériques et analogiques.

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