Résistance d'entrée du circuit à porte commune Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai
Rin = Vx/ix
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée 2 est l'opposition qu'un composant ou un circuit électrique présente au flux de courant électrique lorsqu'une tension lui est appliquée.
Tension d'essai - (Mesuré en Volt) - La tension de test consiste à placer une très haute tension à travers la barrière d'isolation de l'appareil pendant une minute.
Courant d'essai - (Mesuré en Ampère) - Le courant de test est un flux de porteurs de charge électrique, généralement des électrons ou des atomes déficients en électrons.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension d'essai: 27 Volt --> 27 Volt Aucune conversion requise
Courant d'essai: 89 Milliampère --> 0.089 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rin = Vx/ix --> 27/0.089
Évaluer ... ...
Rin = 303.370786516854
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
303.370786516854 Ohm -->0.303370786516854 Kilohm (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.303370786516854 0.303371 Kilohm <-- Résistance d'entrée
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques de l'amplificateur à transistor Calculatrices

Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde
​ Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation
​ Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2
Tension de drain instantanée totale
​ Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange
Tension d'entrée dans le transistor
​ Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Résistance d'entrée du circuit à porte commune Formule

Résistance d'entrée = Tension d'essai/Courant d'essai
Rin = Vx/ix

À quoi sert le circuit de porte commune?

Cette configuration de circuit est normalement utilisée comme amplificateur de tension. La source de FET dans cette configuration fonctionne comme entrée et le drain comme sortie.

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