PGCD de trois nombres

Impureté à concentration intrinsèque Calculatrice

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✖La concentration électronique est influencée par divers facteurs tels que la température, les impuretés ou les dopants ajoutés au matériau semi-conducteur et les champs électriques ou magnétiques externes.ⓘ Concentration d'électrons [n_e]			+10% -10%
✖La concentration de trous implique un plus grand nombre de porteurs de charge disponibles dans le matériau, affectant sa conductivité et divers dispositifs semi-conducteurs.ⓘ Concentration des trous [p]			+10% -10%
✖Impureté de température, un indice de base représentant la température moyenne de l'air sur différentes échelles de temps.ⓘ Impureté de température [t_o]			+10% -10%

✖La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.ⓘ Impureté à concentration intrinsèque [n_i]

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Impureté à concentration intrinsèque Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)
n_i = sqrt((n_e*p)/t_o)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 4 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Concentration intrinsèque - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration intrinsèque est le nombre d'électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans le matériau intrinsèque.
Concentration d'électrons - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration électronique est influencée par divers facteurs tels que la température, les impuretés ou les dopants ajoutés au matériau semi-conducteur et les champs électriques ou magnétiques externes.
Concentration des trous - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration de trous implique un plus grand nombre de porteurs de charge disponibles dans le matériau, affectant sa conductivité et divers dispositifs semi-conducteurs.
Impureté de température - (Mesuré en Kelvin) - Impureté de température, un indice de base représentant la température moyenne de l'air sur différentes échelles de temps.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration d'électrons: 50.6 1 par centimètre cube --> 50600000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Concentration des trous: 0.69 1 par centimètre cube --> 690000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Impureté de température: 20 Kelvin --> 20 Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

n_i = sqrt((n_e*p)/t_o) --> sqrt((50600000*690000)/20)

Évaluer ... ...

n_i = 1321249.40870375

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1321249.40870375 1 par mètre cube -->1.32124940870375 1 par centimètre cube (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.32124940870375 ≈ 1.321249 1 par centimètre cube <-- Concentration intrinsèque

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)