Portes sur le chemin critique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Portes sur le chemin critique = Cycle de service*(Hors courant*(10^Tension du collecteur de base))/(Capacité de la porte au canal*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)
Cette formule utilise 1 Constantes, 5 Variables
Constantes utilisées
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23
Variables utilisées
Portes sur le chemin critique - Les portes sur le chemin critique sont définies comme le nombre total de portes logiques requises pendant un temps de cycle dans CMOS.
Cycle de service - Un cycle de service ou cycle d'alimentation est la fraction d'une période pendant laquelle un signal ou un système est actif.
Hors courant - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'arrêt d'un interrupteur est une valeur inexistante dans la réalité. Les vrais interrupteurs ont normalement un très faible courant de coupure, parfois appelé courant de fuite.
Tension du collecteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.
Capacité de la porte au canal - (Mesuré en Farad) - La capacité de la grille au canal est la capacité due au chevauchement des régions de source et de canal par la grille en polysilicium et est indépendante de la tension appliquée.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Cycle de service: 1.3E-25 --> Aucune conversion requise
Hors courant: 0.01 Milliampère --> 1E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension du collecteur de base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Aucune conversion requise
Capacité de la porte au canal: 5.1 Millifarad --> 0.0051 Farad (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(0.0051*[BoltZ]*2.02)
Évaluer ... ...
Ng = 0.000957058919420363
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.000957058919420363 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.000957058919420363 0.000957 <-- Portes sur le chemin critique
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

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Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Mesures de puissance CMOS Calculatrices

Puissance de commutation
​ LaTeX ​ Aller Puissance de commutation = Facteur d'activité*(Capacitance*Tension du collecteur de base^2*Fréquence)
Facteur d'activité
​ LaTeX ​ Aller Facteur d'activité = Puissance de commutation/(Capacitance*Tension du collecteur de base^2*Fréquence)
Alimentation en court-circuit dans CMOS
​ LaTeX ​ Aller Alimentation en court-circuit = Puissance dynamique-Puissance de commutation
Puissance dynamique en CMOS
​ LaTeX ​ Aller Puissance dynamique = Alimentation en court-circuit+Puissance de commutation

Portes sur le chemin critique Formule

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Portes sur le chemin critique = Cycle de service*(Hors courant*(10^Tension du collecteur de base))/(Capacité de la porte au canal*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Ng = D*(ioff*(10^Vbc))/(Cg*[BoltZ]*Vbc)

Qu’est-ce que la conduction sous-seuil ?

La conduction sous-seuil ou la fuite sous-seuil ou le courant de drain sous-seuil est le courant entre la source et le drain d'un MOSFET lorsque le transistor est dans la région sous-seuil, ou dans la région à faible inversion, c'est-à-dire pour les tensions grille-source inférieures à la tension de seuil.

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