PGCD de trois nombres

Porte vers le potentiel des collectionneurs Calculatrice

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Conception VLSI analogique Optimisation des matériaux VLSI

✖Le potentiel porte à source est la tension entre la porte et l’émetteur.ⓘ Potentiel porte à source [V_gs]			+10% -10%
✖Le potentiel grille-drain est défini comme la tension aux bornes de la grille et de la jonction drain des MOSFET.ⓘ Porte pour drainer le potentiel [V_gd]			+10% -10%

✖La tension grille-canal est définie lorsque la résistance à l'état passant drain-source est supérieure à la valeur nominale lorsque la tension de grille est proche de la tension de seuil.ⓘ Porte vers le potentiel des collectionneurs [V_gc]

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Porte vers le potentiel des collectionneurs Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2
V_gc = (V_gs+V_gd)/2
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension porte à canal - (Mesuré en Volt) - La tension grille-canal est définie lorsque la résistance à l'état passant drain-source est supérieure à la valeur nominale lorsque la tension de grille est proche de la tension de seuil.
Potentiel porte à source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel porte à source est la tension entre la porte et l’émetteur.
Porte pour drainer le potentiel - (Mesuré en Volt) - Le potentiel grille-drain est défini comme la tension aux bornes de la grille et de la jonction drain des MOSFET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Potentiel porte à source: 5 Volt --> 5 Volt Aucune conversion requise
Porte pour drainer le potentiel: 9.02 Volt --> 9.02 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_gc = (V_gs+V_gd)/2 --> (5+9.02)/2

Évaluer ... ...

V_gc = 7.01

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

7.01 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

7.01 Volt <-- Tension porte à canal

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Fabrication VLSI » Conception VLSI analogique » Porte vers le potentiel des collectionneurs

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Conception VLSI analogique Calculatrices

Tension de vidange

LaTeX Aller Tension du collecteur de base = sqrt(Puissance dynamique/(Fréquence*Capacitance))

Capacité porte à base

LaTeX Aller Capacité porte à base = Capacité de porte-(Capacité porte à source+Capacité de la porte à drainer)

Tension de porte à canal

LaTeX Aller Tension porte à canal = (Frais de canal/Capacité de porte)+Tension de seuil

Porte vers le potentiel des collectionneurs

LaTeX Aller Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2

Porte vers le potentiel des collectionneurs Formule

LaTeX Aller

Tension porte à canal = (Potentiel porte à source+Porte pour drainer le potentiel)/2
V_gc = (V_gs+V_gd)/2

Quelle est la signification du modèle à long canal ?

Le modèle à canal long suppose que le courant traversant un transistor OFF est égal à 0. Lorsqu'un transistor s'active (Vgs > Vt), la grille attire les porteurs (électrons) pour former un canal. Les électrons dérivent de la source au drain à une vitesse proportionnelle au champ électrique entre ces régions. Ainsi, nous pouvons calculer les courants si nous connaissons la quantité de charge dans le canal et la vitesse à laquelle il se déplace.

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