PPCM de deux nombres

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement Calculatrice

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✖La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Largeur du transistor [W_t]			+10% -10%
✖La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.ⓘ Longueur du transistor [L_t]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La capacité de chevauchement est une capacité parasite qui apparaît en raison du chevauchement physique entre la grille et les régions source/drain.ⓘ Capacité de chevauchement [C_ov]			+10% -10%

✖La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement [C_gs]

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Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de la source de porte = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
Largeur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La largeur du transistor fait référence à la largeur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Longueur du transistor - (Mesuré en Mètre) - La longueur du transistor fait référence à la longueur de la région du canal dans un MOSFET. Cette dimension joue un rôle crucial dans la détermination des caractéristiques électriques et des performances du transistor.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Capacité de chevauchement - (Mesuré en Farad) - La capacité de chevauchement est une capacité parasite qui apparaît en raison du chevauchement physique entre la grille et les régions source/drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur du transistor: 5.5 Micromètre --> 5.5E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du transistor: 3.2 Micromètre --> 3.2E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Capacité d'oxyde: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Aucune conversion requise
Capacité de chevauchement: 2.5 Farad --> 2.5 Farad Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov) --> (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5)

Évaluer ... ...

C_gs = 1.375004576E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.375004576E-05 Farad -->13.75004576 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

13.75004576 ≈ 13.75005 microfarades <-- Capacité de la source de porte

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Capacité de la source de grille étant donné la capacité de chevauchement Formule

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Capacité de la source de porte = (2/3*Largeur du transistor*Longueur du transistor*Capacité d'oxyde)+(Largeur du transistor*Capacité de chevauchement)
C_gs = (2/3*W_t*L_t*C_ox)+(W_t*C_ov)

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