Capacité de source de porte du FET Calculatrice

✖Temps d'arrêt de la capacité grille-source FET fait référence au temps nécessaire pour que la capacité grille-source se décharge, un paramètre critique pour contrôler la vitesse de commutation et l'efficacité énergétique.ⓘ Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET [T_gs-off(fet)]			+10% -10%
✖Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.ⓘ Tension de source de drain FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.ⓘ FET de potentiel de surface [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Gate Source Capacitance FET est la capacité entre les bornes de grille et de source d'un FET.ⓘ Capacité de source de porte du FET [C_gs(fet)]

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Capacité de source de porte du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

FET de capacité de source de porte = Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET/(1-(Tension de source de drain FET/FET de potentiel de surface))^(1/3)
C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

FET de capacité de source de porte - (Mesuré en Farad) - Gate Source Capacitance FET est la capacité entre les bornes de grille et de source d'un FET.
Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET - (Mesuré en Deuxième) - Temps d'arrêt de la capacité grille-source FET fait référence au temps nécessaire pour que la capacité grille-source se décharge, un paramètre critique pour contrôler la vitesse de commutation et l'efficacité énergétique.
Tension de source de drain FET - (Mesuré en Volt) - Drain Source Tension FET est la tension entre le drain et la borne source d'un FET.
FET de potentiel de surface - (Mesuré en Volt) - Potentiel de surface FET fonctionne sur la base du potentiel de surface du canal semi-conducteur, contrôlant le flux de courant à travers une tension de grille sans générer de couches d'inversion.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de la source de porte Temps d'arrêt FET: 2.234 Deuxième --> 2.234 Deuxième Aucune conversion requise
Tension de source de drain FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Aucune conversion requise
FET de potentiel de surface: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_gs(fet) = T_gs-off(fet)/(1-(V_ds(fet)/Ψ_0(fet)))^(1/3) --> 2.234/(1-(4.8/4.976))^(1/3)

Évaluer ... ...

C_gs(fet) = 6.80569376657684

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

6.80569376657684 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

6.80569376657684 ≈ 6.805694 Farad <-- FET de capacité de source de porte

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

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Transconductance du FET

LaTeX Aller FET à transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation zéro)/Tension de pincement*(1-Tension de source de drain FET/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

LaTeX Aller Tension de source de drain FET = Tension d'alimentation au drain FET-Courant de vidange FET*(FET de résistance de drainage+Source Résistance FET)

Courant de drain du FET

LaTeX Aller Courant de vidange FET = Courant de drain de polarisation zéro*(1-Tension de source de drain FET/Tension de coupure FET)^2

Pincer la tension du FET

LaTeX Aller Tension de pincement = Pincez OFF Drain Source Tension FET-Tension de source de drain FET