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Capacité d'oxyde de porte Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de porte [C_g]			+10% -10%
✖La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.ⓘ Largeur du portail [W_g]			+10% -10%
✖La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.ⓘ Longueur de la porte [L_g]			+10% -10%

✖La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité d'oxyde de porte [C_ox]

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Capacité d'oxyde de porte Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Capacité de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Largeur du portail - (Mesuré en Mètre) - La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.
Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de porte: 59.61 microfarades --> 5.961E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du portail: 0.285 Millimètre --> 0.000285 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur de la porte: 7.01 Millimètre --> 0.00701 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_ox = C_g/(W_g*L_g) --> 5.961E-05/(0.000285*0.00701)

Évaluer ... ...

C_ox = 29.8370748554696

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

29.8370748554696 Farad par mètre carré -->29.8370748554696 Microfarad par millimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

29.8370748554696 ≈ 29.83707 Microfarad par millimètre carré <-- Capacité de la couche d'oxyde de grille

(Calcul effectué en 00.008 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Capacité d'oxyde de porte Formule

LaTeX Aller

Capacité de la couche d'oxyde de grille = Capacité de porte/(Largeur du portail*Longueur de la porte)
C_ox = C_g/(W_g*L_g)

Quelles sont les régions de fonctionnement des transistors MOS ?

Les transistors MOS ont trois régions de fonctionnement. Ce sont la région de coupure ou sous-seuil, la région linéaire et la région de saturation.

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