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Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte Calculatrice

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✖La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de porte [C_g]			+10% -10%
✖La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de la couche d'oxyde de grille [C_ox]			+10% -10%
✖La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.ⓘ Largeur du portail [W_g]			+10% -10%

✖La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.ⓘ Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte [L_g]

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Formule

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Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte

Formule

L g = \frac{C g}{C ox \cdot W g}

Exemple

7.011663 mm = \frac{59.61 μF}{29.83 μF/mm² \cdot 0.285 mm}

Calculatrice

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Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Longueur de la porte - (Mesuré en Mètre) - La longueur de la porte est la mesure ou l'étendue de quelque chose d'un bout à l'autre.
Capacité de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Capacité de la couche d'oxyde de grille - (Mesuré en Farad par mètre carré) - La capacité de la couche d'oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Largeur du portail - (Mesuré en Mètre) - La largeur de grille fait référence à la distance entre le bord d'une électrode de grille métallique et le matériau semi-conducteur adjacent dans un CMOS.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Capacité de porte: 59.61 microfarades --> 5.961E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de la couche d'oxyde de grille: 29.83 Microfarad par millimètre carré --> 29.83 Farad par mètre carré (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du portail: 0.285 Millimètre --> 0.000285 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L_g = C_g/(C_ox*W_g) --> 5.961E-05/(29.83*0.000285)

Évaluer ... ...

L_g = 0.00701166257917674

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00701166257917674 Mètre -->7.01166257917674 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

7.01166257917674 ≈ 7.011663 Millimètre <-- Longueur de la porte

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte Formule

Longueur de la porte = Capacité de porte/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Largeur du portail)
L_g = C_g/(C_ox*W_g)

Quelles sont les applications de la couche d’oxyde dans VLSI ?

La couche d'oxyde a des applications clés dans les dispositifs semi-conducteurs. Il sert d'isolant de grille dans les transistors MOS, permettant le contrôle du flux d'électrons. De plus, il agit comme une couche d'isolation électrique entre différents composants et interconnexions, garantissant un fonctionnement fiable et efficace des circuits intégrés dans des applications telles que les microprocesseurs, les dispositifs de mémoire et les capteurs.

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