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Capacité de porte Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La charge de canal est définie comme la force ressentie par une matière lorsqu'elle est placée dans un champ électromagnétique.ⓘ Frais de canal [Q_ch]			+10% -10%
✖La tension grille-canal est définie lorsque la résistance à l'état passant drain-source est supérieure à la valeur nominale lorsque la tension de grille est proche de la tension de seuil.ⓘ Tension porte à canal [V_gc]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%

✖La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.ⓘ Capacité de porte [C_g]

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Capacité de porte Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de grille est la capacité de la borne de grille d'un transistor à effet de champ.
Frais de canal - (Mesuré en Coulomb) - La charge de canal est définie comme la force ressentie par une matière lorsqu'elle est placée dans un champ électromagnétique.
Tension porte à canal - (Mesuré en Volt) - La tension grille-canal est définie lorsque la résistance à l'état passant drain-source est supérieure à la valeur nominale lorsque la tension de grille est proche de la tension de seuil.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Frais de canal: 0.4 Millicoulomb --> 0.0004 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Tension porte à canal: 7.011 Volt --> 7.011 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_g = Q_ch/(V_gc-V_t) --> 0.0004/(7.011-0.3)

Évaluer ... ...

C_g = 5.96036358217851E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.96036358217851E-05 Farad -->59.6036358217851 microfarades (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

59.6036358217851 ≈ 59.60364 microfarades <-- Capacité de porte

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices

Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Capacité de porte Formule

LaTeX Aller

Capacité de porte = Frais de canal/(Tension porte à canal-Tension de seuil)
C_g = Q_ch/(V_gc-V_t)

Quelles sont les applications du calcul de la capacité de grille dans VLSI ?

Le calcul de la capacité de grille (VLSI) est crucial pour optimiser la consommation d'énergie et l'intégrité du signal. Il aide à concevoir des circuits CMOS efficaces, à déterminer les retards et à minimiser la puissance de commutation. Ces connaissances sont essentielles pour réaliser des circuits intégrés hautes performances et basse consommation dans des applications telles que les smartphones, les appareils IoT et les microprocesseurs.

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