Calculatrice A à Z
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Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Calculatrice
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Amélioration du canal P
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✖
Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.
ⓘ
Potentiel de jonction intégré [Φ
o
]
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Tension de Planck
Volt
+10%
-10%
✖
La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.
ⓘ
Tension de source de drain [V
DS
]
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Tension de Planck
Volt
+10%
-10%
✖
La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
ⓘ
Concentration dopante de l'accepteur [N
A
]
Électrons par centimètre cube
Électrons par mètre cube
+10%
-10%
✖
La région de profondeur de déplétion du drain est la région de déplétion qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
ⓘ
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain [x
dD
]
Angstrom
Unité astronomique
Centimètre
Décimètre
Rayon équatorial de la Terre
Fermi
Pied
Pouce
Kilomètre
Année-lumière
Mètre
Micropouce
Micromètre
Micron
Mile
Millimètre
Nanomètre
Picomètre
Cour
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain
Formule
x
dD
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
(
Φ
o
+
V
DS
)
[Charge-e]
⋅
N
A
Exemple
7.2E+7 m
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
(
2 V
+
45 V
)
[Charge-e]
⋅
1.32 electrons/cm³
Calculatrice
LaTeX
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👍
Télécharger MOSFET Formule PDF
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Profondeur de la région d'épuisement du drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potentiel de jonction intégré
+
Tension de source de drain
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Cette formule utilise
2
Constantes
,
1
Les fonctions
,
4
Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-silicon]
- Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt
- Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Profondeur de la région d'épuisement du drain
-
(Mesuré en Mètre)
- La région de profondeur de déplétion du drain est la région de déplétion qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
Potentiel de jonction intégré
-
(Mesuré en Volt)
- Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.
Tension de source de drain
-
(Mesuré en Volt)
- La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.
Concentration dopante de l'accepteur
-
(Mesuré en Électrons par mètre cube)
- La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Potentiel de jonction intégré:
2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension de source de drain:
45 Volt --> 45 Volt Aucune conversion requise
Concentration dopante de l'accepteur:
1.32 Électrons par centimètre cube --> 1320000 Électrons par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
x
dD
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ
o
+V
DS
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(2+45))/(
[Charge-e]
*1320000))
Évaluer ... ...
x
dD
= 72113188.282716
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
72113188.282716 Mètre --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
72113188.282716
≈
7.2E+7 Mètre
<--
Profondeur de la région d'épuisement du drain
(Calcul effectué en 00.020 secondes)
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Profondeur de la région d'épuisement associée au drain
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Transistors MOS Calculatrices
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Aller
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
= -(2*
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
)/(
Tension finale
-
Tension initiale
)*(
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension finale
)-
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension initiale
)))
Potentiel de Fermi pour le type P
Aller
Potentiel de Fermi pour le type P
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration intrinsèque de porteurs
/
Concentration dopante de l'accepteur
)
Capacité équivalente à grande jonction de signal
Aller
Capacité équivalente à grande jonction de signal
=
Périmètre du flanc
*
Capacité de jonction des parois latérales
*
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Aller
Capacité de jonction des parois latérales
=
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation
*
Profondeur du flanc
Voir plus >>
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Formule
Profondeur de la région d'épuisement du drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potentiel de jonction intégré
+
Tension de source de drain
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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