Densité de charge dans la région d'épuisement Calculatrice

Densité de charge de couche d'épuisement = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentration dopante de l'accepteur*modulus(Potentiel des surfaces-Potentiel Fermi en vrac)))
Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f)))
Cette formule utilise 2 Constantes, 2 Les fonctions, 4 Variables
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
modulus - Le module d'un nombre est le reste lorsque ce nombre est divisé par un autre nombre., modulusDensité de charge de couche d'épuisement - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La densité des charges de couche d'épuisement est la quantité de ces charges fixes par unité de surface dans la région d'épuisement.
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
Potentiel des surfaces - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de surface est le potentiel électrique à la surface du semi-conducteur, plus précisément à l'interface entre le semi-conducteur et l'isolant.
Potentiel Fermi en vrac - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de Fermi en vrac est un paramètre qui décrit le potentiel électrostatique dans la masse (à l'intérieur) d'un matériau semi-conducteur.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)