Fraction d'impureté en termes de réseau d'énergie Calculatrice

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✖L'énergie requise par impureté est E est l'énergie requise pour l'occupation d'une impureté dans le réseau cristallin.ⓘ Énergie requise par impureté [ΔE]			+10% -10%
✖La température est le degré ou l'intensité de la chaleur présente dans une substance ou un objet.ⓘ Température [T]			+10% -10%

✖La fraction d'impuretés est le rapport du réseau cristallin occupé par l'impureté au nombre total. du réseau cristallin.ⓘ Fraction d'impureté en termes de réseau d'énergie [f]

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Fraction d'impureté en termes de réseau d'énergie Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fraction d'impuretés = exp(-Énergie requise par impureté/([R]*Température))
f = exp(-ΔE/([R]*T))
Cette formule utilise 1 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables

Constantes utilisées

[R] - Constante du gaz universel Valeur prise comme 8.31446261815324

Fonctions utilisées

exp - Dans une fonction exponentielle, la valeur de la fonction change d'un facteur constant pour chaque changement d'unité dans la variable indépendante., exp(Number)

Variables utilisées

Fraction d'impuretés - La fraction d'impuretés est le rapport du réseau cristallin occupé par l'impureté au nombre total. du réseau cristallin.
Énergie requise par impureté - (Mesuré en Joule) - L'énergie requise par impureté est E est l'énergie requise pour l'occupation d'une impureté dans le réseau cristallin.
Température - (Mesuré en Kelvin) - La température est le degré ou l'intensité de la chaleur présente dans une substance ou un objet.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Énergie requise par impureté: 500 Joule --> 500 Joule Aucune conversion requise
Température: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

f = exp(-ΔE/([R]*T)) --> exp(-500/([R]*85))

Évaluer ... ...

f = 0.492882514112385

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.492882514112385 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.492882514112385 ≈ 0.492883 <-- Fraction d'impuretés

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Chimie » Chimie du solide » Treillis » Fraction d'impureté en termes de réseau d'énergie

Crédits

Créé par Prerana Bakli

Université d'Hawaï à Mānoa (UH Manoa), Hawaï, États-Unis

Prerana Bakli a créé cette calculatrice et 800+ autres calculatrices!

Vérifié par Akshada Kulkarni

Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni a validé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

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Efficacité d'emballage

LaTeX Aller Efficacité d'emballage = (Volume occupé par les sphères dans la cellule unitaire/Volume total de cellule unitaire)*100

Longueur du bord de la cellule unitaire centrée sur le corps

LaTeX Aller Longueur du bord = 4*Rayon de la particule constituante/sqrt(3)

Longueur du bord de la cellule d'unité centrée sur la face

LaTeX Aller Longueur du bord = 2*sqrt(2)*Rayon de la particule constituante

Longueur du bord de la cellule unitaire cubique simple

LaTeX Aller Longueur du bord = 2*Rayon de la particule constituante

Fraction d'impureté en termes de réseau d'énergie Formule

LaTeX Aller

Fraction d'impuretés = exp(-Énergie requise par impureté/([R]*Température))
f = exp(-ΔE/([R]*T))

Quels sont les défauts du cristal?

La disposition des atomes dans tous les matériaux contient des imperfections qui ont un effet profond sur le comportement des matériaux. Les défauts de réseau peuvent être classés en trois 1. Défauts ponctuels (lacunes, défauts interstitiels, défauts de substitution) 2. Défaut de ligne (dislocation de vis, dislocation de bord) 3. défauts de surface (surface du matériau, joints de grains)

Pourquoi les défauts sont-ils importants?

De nombreuses propriétés sont contrôlées ou affectées par des défauts, par exemple: 1. Conductivité électrique et thermique des métaux (fortement réduite par les défauts ponctuels). 2. Conductivité électronique dans les semi-conducteurs (contrôlée par des défauts de substitution). 3. Diffusion (contrôlée par les vacances). 4. Conductivité ionique (contrôlée par les vacances). 5. Déformation plastique dans les matériaux cristallins (contrôlée par dislocation). 6. Couleurs (affectées par des défauts). 7. Résistance mécanique (dépend fortement des défauts).

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