Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2
Id1 = Ib/2+Ib/Vov*Vid/2
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Courant de drain 1 - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain 1 est le courant qui circule entre le drain et les bornes de source d'un transistor à effet de champ (FET), qui est un type de transistor couramment utilisé dans les circuits électroniques.
Courant de polarisation CC - (Mesuré en Ampère) - Le courant de polarisation CC est le courant constant qui circule dans un circuit ou un appareil pour établir un certain point de fonctionnement ou point de polarisation.
Tension de surmultiplication - (Mesuré en Volt) - La tension de surcharge est un terme utilisé en électronique et fait référence au niveau de tension appliqué à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.
Signal d'entrée différentiel - (Mesuré en Volt) - Un signal d'entrée différentiel fait référence à un type de signal électrique composé de deux signaux de tension distincts, chacun mesuré par rapport à un point de référence commun, généralement appelé la masse.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Courant de polarisation CC: 985 Milliampère --> 0.985 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension de surmultiplication: 3.12 Volt --> 3.12 Volt Aucune conversion requise
Signal d'entrée différentiel: 0.03 Volt --> 0.03 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Id1 = Ib/2+Ib/Vov*Vid/2 --> 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2
Évaluer ... ...
Id1 = 0.497235576923077
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.497235576923077 Ampère -->497.235576923077 Milliampère (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
497.235576923077 497.2356 Milliampère <-- Courant de drain 1
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Actuel Calculatrices

Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-(Signal d'entrée différentiel)^2/(4*Tension de surmultiplication^2))
Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-Signal d'entrée différentiel^2/(4*Tension de surmultiplication^2))
Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2
Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication
​ LaTeX ​ Aller Courant de vidange = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2)

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication Formule

​LaTeX ​Aller
Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2
Id1 = Ib/2+Ib/Vov*Vid/2

Qu'est-ce que la tension d'entrée différentielle?

La tension d'entrée différentielle est la tension maximale qui peut être fournie aux broches d'entrée (entrée non inverseuse) et d'entrée (entrée inversée) sans endommager ni dégrader les caractéristiques du circuit intégré.

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