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Concentration excessive de porteurs Calculatrice

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Bande d'énergie et porteur de charge Électrons et trous Jonction SSD Porteurs de semi-conducteurs

✖Génération optique Évaluez le nombre d'électrons générés à chaque point de l'appareil en raison de l'absorption des photons.ⓘ Taux de génération optique [g_op]			+10% -10%
✖Durée de vie de recombinaison le temps moyen qu'il faut à un porteur minoritaire en excès pour se recombiner.ⓘ Durée de vie de la recombinaison [τ_n]			+10% -10%

✖L'excès de concentration de porteurs est un excès d'électron présent dans la concentration de porteurs.ⓘ Concentration excessive de porteurs [δ_n]

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Concentration excessive de porteurs Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
δ_n = g_op*τ_n
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Concentration excessive de porteurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - L'excès de concentration de porteurs est un excès d'électron présent dans la concentration de porteurs.
Taux de génération optique - Génération optique Évaluez le nombre d'électrons générés à chaque point de l'appareil en raison de l'absorption des photons.
Durée de vie de la recombinaison - (Mesuré en Deuxième) - Durée de vie de recombinaison le temps moyen qu'il faut à un porteur minoritaire en excès pour se recombiner.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Taux de génération optique: 2.9E+19 --> Aucune conversion requise
Durée de vie de la recombinaison: 3.62E-06 Deuxième --> 3.62E-06 Deuxième Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

δ_n = g_op*τ_n --> 2.9E+19*3.62E-06

Évaluer ... ...

δ_n = 104980000000000

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

104980000000000 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

104980000000000 ≈ 1E+14 1 par mètre cube <-- Concentration excessive de porteurs

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Dispositifs à semi-conducteurs » Bande d'énergie et porteur de charge » Concentration excessive de porteurs

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Bande d'énergie et porteur de charge Calculatrices

Concentration d'électrons à l'état d'équilibre

LaTeX Aller Concentration de transporteur à l'état d'équilibre = Concentration d'électrons dans la bande de conduction+Concentration excessive de porteurs

Énergie de l'électron étant donné la constante de Coulomb

LaTeX Aller Énergie de l'électron = (Nombre quantique^2*pi^2*[hP]^2)/(2*[Mass-e]*Longueur potentielle du puits^2)

Énergie de la bande de Valence

LaTeX Aller Énergie de la bande de Valence = Énergie de bande de conduction-Déficit énergétique

Déficit énergétique

LaTeX Aller Déficit énergétique = Énergie de bande de conduction-Énergie de la bande de Valence

< Porteurs de semi-conducteurs Calculatrices

Fonction Fermi

LaTeX Aller Fonction de Fermi = Concentration d'électrons dans la bande de conduction/Densité effective d'état dans la bande de conduction

Coefficient de distribution

LaTeX Aller Coefficient de répartition = Concentration d'impuretés dans le solide/Concentration d'impuretés dans le liquide

Énergie de bande de conduction

LaTeX Aller Énergie de bande de conduction = Déficit énergétique+Énergie de la bande de Valence

Énergie photoélectronique

LaTeX Aller Énergie photoélectronique = [hP]*Fréquence de la lumière incidente

Concentration excessive de porteurs Formule

LaTeX Aller

Concentration excessive de porteurs = Taux de génération optique*Durée de vie de la recombinaison
δ_n = g_op*τ_n

Comment augmentez-vous la concentration des porteurs ?

L'abaissement de la température provoque une diminution de la concentration en porteurs intrinsèques, tandis que l'augmentation de la température provoque une augmentation de la concentration en porteurs intrinsèques.

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