Épaisseur d'oxyde équivalente Calculatrice

Ingénierie Chimie Financier La physique Math Santé Terrain de jeux

↳

Électronique Civil Électrique Electronique et instrumentation Ingénieur chimiste La science des matériaux L'ingénierie de production Mécanique

⤿

Fabrication de circuits intégrés MOS Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖L'épaisseur du matériau est l'épaisseur du matériau donné. Il fait référence à la dimension physique d'un objet mesurée perpendiculairement à sa surface.ⓘ Épaisseur du matériau [t_high-k]			+10% -10%
✖La constante diélectrique d'un matériau est une mesure de la capacité d'un matériau à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.ⓘ Constante diélectrique du matériau [k_high-k]			+10% -10%

✖L'épaisseur d'oxyde équivalente est une mesure utilisée dans la technologie des semi-conducteurs pour caractériser les propriétés isolantes d'un diélectrique de grille dans un dispositif métal-oxyde-semi-conducteur (MOS).ⓘ Épaisseur d'oxyde équivalente [EOT]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Épaisseur d'oxyde équivalente

Formule

EOT = t high-k \cdot (\frac{3.9}{k high-k})

Exemple

14.66814 nm = 8.5 nm \cdot (\frac{3.9}{2.26})

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Fabrication de circuits intégrés MOS Formules PDF PDF Image

Épaisseur d'oxyde équivalente Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Épaisseur d'oxyde équivalente - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur d'oxyde équivalente est une mesure utilisée dans la technologie des semi-conducteurs pour caractériser les propriétés isolantes d'un diélectrique de grille dans un dispositif métal-oxyde-semi-conducteur (MOS).
Épaisseur du matériau - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur du matériau est l'épaisseur du matériau donné. Il fait référence à la dimension physique d'un objet mesurée perpendiculairement à sa surface.
Constante diélectrique du matériau - La constante diélectrique d'un matériau est une mesure de la capacité d'un matériau à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Épaisseur du matériau: 8.5 Nanomètre --> 8.5E-09 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Constante diélectrique du matériau: 2.26 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Évaluer ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.46681415929204E-08 Mètre -->14.6681415929204 Nanomètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanomètre <-- Épaisseur d'oxyde équivalente

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Circuits intégrés (CI) » Fabrication de circuits intégrés MOS » Épaisseur d'oxyde équivalente

Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 5 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Épaisseur d'oxyde équivalente Formule

Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!