Calculatrice A à Z
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Amélioration du canal P
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✖
La tension finale fait référence au niveau de tension atteint ou mesuré à la fin d'un processus ou d'un événement particulier.
ⓘ
Tension finale [V
2
]
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Tension de Planck
Volt
+10%
-10%
✖
La tension initiale fait référence à la tension présente à un point spécifique d'un circuit au début d'une certaine opération ou dans des conditions spécifiques.
ⓘ
Tension initiale [V
1
]
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Tension de Planck
Volt
+10%
-10%
✖
La capacité de jonction fait référence à la capacité résultant de la région d'appauvrissement entre les bornes source/drain et le substrat.
ⓘ
Capacité de jonction [C
j
]
Farad
FemtoFarad
Kilofarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
picofarad
+10%
-10%
✖
La capacité équivalente de grand signal est un modèle simplifié utilisé pour représenter l'effet combiné des capacités de jonction aux basses fréquences (régime de grand signal).
ⓘ
Grande capacité de signal équivalente [C
eq
]
Farad
FemtoFarad
Kilofarad
microfarades
Millifarad
Nanofarad
picofarad
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Grande capacité de signal équivalente
Formule
C
eq
=
(
1
V
2
-
V
1
)
⋅
∫
(
C
j
⋅
x
,
x
,
V
1
,
V
2
)
Exemple
0.000549 F
=
(
1
6.135 nV
-
5.42 nV
)
⋅
∫
(
95009 F
⋅
x
,
x
,
5.42 nV
,
6.135 nV
)
Calculatrice
LaTeX
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Télécharger MOSFET Formule PDF
Grande capacité de signal équivalente Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Grande capacité de signal équivalente
= (1/(
Tension finale
-
Tension initiale
))*
int
(
Capacité de jonction
*x,x,
Tension initiale
,
Tension finale
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
Cette formule utilise
1
Les fonctions
,
4
Variables
Fonctions utilisées
int
- L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer la zone nette signée, qui est la zone au-dessus de l'axe des x moins la zone en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)
Variables utilisées
Grande capacité de signal équivalente
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité équivalente de grand signal est un modèle simplifié utilisé pour représenter l'effet combiné des capacités de jonction aux basses fréquences (régime de grand signal).
Tension finale
-
(Mesuré en Volt)
- La tension finale fait référence au niveau de tension atteint ou mesuré à la fin d'un processus ou d'un événement particulier.
Tension initiale
-
(Mesuré en Volt)
- La tension initiale fait référence à la tension présente à un point spécifique d'un circuit au début d'une certaine opération ou dans des conditions spécifiques.
Capacité de jonction
-
(Mesuré en Farad)
- La capacité de jonction fait référence à la capacité résultant de la région d'appauvrissement entre les bornes source/drain et le substrat.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension finale:
6.135 Nanovolt --> 6.135E-09 Volt
(Vérifiez la conversion
ici
)
Tension initiale:
5.42 Nanovolt --> 5.42E-09 Volt
(Vérifiez la conversion
ici
)
Capacité de jonction:
95009 Farad --> 95009 Farad Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
C
eq
= (1/(V
2
-V
1
))*int(C
j
*x,x,V
1
,V
2
) -->
(1/(6.135E-09-5.42E-09))*
int
(95009*x,x,5.42E-09,6.135E-09)
Évaluer ... ...
C
eq
= 0.0005489144975
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.0005489144975 Farad --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.0005489144975
≈
0.000549 Farad
<--
Grande capacité de signal équivalente
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Grande capacité de signal équivalente
Crédits
Créé par
Vignesh Naidu
Institut de technologie de Vellore
(VIT)
,
Vellore,Tamil Nadu
Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!
Vérifié par
Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
Transistors MOS Calculatrices
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Aller
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
= -(2*
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
)/(
Tension finale
-
Tension initiale
)*(
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension finale
)-
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension initiale
)))
Potentiel de Fermi pour le type P
Aller
Potentiel de Fermi pour le type P
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration intrinsèque de porteurs
/
Concentration dopante de l'accepteur
)
Capacité équivalente à grande jonction de signal
Aller
Capacité équivalente à grande jonction de signal
=
Périmètre du flanc
*
Capacité de jonction des parois latérales
*
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Aller
Capacité de jonction des parois latérales
=
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation
*
Profondeur du flanc
Voir plus >>
Grande capacité de signal équivalente Formule
Grande capacité de signal équivalente
= (1/(
Tension finale
-
Tension initiale
))*
int
(
Capacité de jonction
*x,x,
Tension initiale
,
Tension finale
)
C
eq
= (1/(
V
2
-
V
1
))*
int
(
C
j
*x,x,
V
1
,
V
2
)
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