Écart de bande d'énergie Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)
Eg = EG0-(T*βk)
Cette formule utilise 4 Variables
Variables utilisées
Écart de bande d'énergie - (Mesuré en Joule) - Energy Band Gap décrit l'influence des photons sur l'énergie de la bande interdite.
Écart de bande d'énergie à 0K - (Mesuré en Joule) - Energy Band Gap à 0K décrit l'influence des photons sur l'énergie de la bande interdite à une température de 0K.
Température - (Mesuré en Kelvin) - La température est le degré ou l'intensité de la chaleur présente dans une substance ou un objet.
Constante spécifique au matériau - (Mesuré en Joule par Kelvin) - La constante spécifique au matériau est définie comme la constante déterminée expérimentalement et qui diffère d'un matériau à l'autre.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Écart de bande d'énergie à 0K: 0.87 Électron-volt --> 1.39389427710001E-19 Joule (Vérifiez la conversion ​ici)
Température: 290 Kelvin --> 290 Kelvin Aucune conversion requise
Constante spécifique au matériau: 5.7678E-23 Joule par Kelvin --> 5.7678E-23 Joule par Kelvin Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Eg = EG0-(T*βk) --> 1.39389427710001E-19-(290*5.7678E-23)
Évaluer ... ...
Eg = 1.22662807710001E-19
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
1.22662807710001E-19 Joule -->0.765600694836947 Électron-volt (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.765600694836947 0.765601 Électron-volt <-- Écart de bande d'énergie
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Akshada Kulkarni
Institut national des technologies de l'information (NIIT), Neemrana
Akshada Kulkarni a créé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!
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Vérifié par Équipe Softusvista
Bureau de Softusvista (Pune), Inde
Équipe Softusvista a validé cette calculatrice et 1100+ autres calculatrices!

Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs
​ LaTeX ​ Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)
Longueur de diffusion d'électrons
​ LaTeX ​ Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)
Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques
​ LaTeX ​ Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2
Mobilité des Porteurs de Charge
​ LaTeX ​ Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique

Écart de bande d'énergie Formule

​LaTeX ​Aller
Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)
Eg = EG0-(T*βk)

Que sont les semi-conducteurs extrinsèques?

Les semi-conducteurs extrinsèques ne sont que des semi-conducteurs intrinsèques qui ont été dopés avec des atomes d'impuretés (défauts de substitution unidimensionnels dans ce cas). Le dopage est le processus par lequel les semi-conducteurs augmentent leur conductivité électrique en introduisant des atomes de différents éléments dans leur réseau.

Qu'est-ce qu'un semi-conducteur extrinsèque de type P?

Un semi-conducteur de type p est créé lorsque des éléments trivalents sont utilisés pour doper des semi-conducteurs purs, comme Si et Ge. Lorsqu'un semi-conducteur est dopé avec un atome trivalent, les trous sont les porteurs de charge majoritaires. Par contre, les électrons libres sont les porteurs de charge minoritaires. Par conséquent, ces semi-conducteurs extrinsèques sont appelés semi-conducteurs de type p. Dans un semi-conducteur de type p, Nombre de trous >> Nombre d'électrons libres

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