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Efficacité d'injection de l'émetteur Calculatrice

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✖Le courant d'émetteur fait référence au courant circulant entre l'émetteur et les bornes de base du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.ⓘ Courant de l'émetteur [I_E]			+10% -10%
✖Le courant de l'émetteur dû aux électrons est le courant maximum possible des porteurs majoritaires circulant dans l'émetteur.ⓘ Courant d'émetteur dû aux électrons [I_Ee]			+10% -10%
✖Le courant d'émetteur dû aux trous est le courant maximum possible des porteurs minoritaires injectés dans la base.ⓘ Courant de l'émetteur dû aux trous [I_Eh]			+10% -10%

✖L'efficacité d'injection de l'émetteur est le rapport entre le courant électronique circulant dans l'émetteur et le courant total à travers la jonction de base de l'émetteur.ⓘ Efficacité d'injection de l'émetteur [γ]

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Formule

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Efficacité d'injection de l'émetteur

Formule

γ = \frac{I E}{I Ee + I Eh}

Exemple

0.727273 = \frac{0.008 A}{0.005 A + 0.006 A}

Calculatrice

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Efficacité d'injection de l'émetteur Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Efficacité d'injection de l'émetteur = Courant de l'émetteur/(Courant d'émetteur dû aux électrons+Courant de l'émetteur dû aux trous)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Efficacité d'injection de l'émetteur - L'efficacité d'injection de l'émetteur est le rapport entre le courant électronique circulant dans l'émetteur et le courant total à travers la jonction de base de l'émetteur.
Courant de l'émetteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'émetteur fait référence au courant circulant entre l'émetteur et les bornes de base du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.
Courant d'émetteur dû aux électrons - (Mesuré en Ampère) - Le courant de l'émetteur dû aux électrons est le courant maximum possible des porteurs majoritaires circulant dans l'émetteur.
Courant de l'émetteur dû aux trous - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'émetteur dû aux trous est le courant maximum possible des porteurs minoritaires injectés dans la base.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de l'émetteur: 0.008 Ampère --> 0.008 Ampère Aucune conversion requise
Courant d'émetteur dû aux électrons: 0.005 Ampère --> 0.005 Ampère Aucune conversion requise
Courant de l'émetteur dû aux trous: 0.006 Ampère --> 0.006 Ampère Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

γ = I_E/(I_Ee+I_Eh) --> 0.008/(0.005+0.006)

Évaluer ... ...

γ = 0.727272727272727

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.727272727272727 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.727272727272727 ≈ 0.727273 <-- Efficacité d'injection de l'émetteur

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)

Efficacité d'injection de l'émetteur Formule

Efficacité d'injection de l'émetteur = Courant de l'émetteur/(Courant d'émetteur dû aux électrons+Courant de l'émetteur dû aux trous)
γ = I_E/(I_Ee+I_Eh)

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