Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal
vd = μn*EL
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Vitesse de dérive des électrons - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive des électrons est due au champ électrique qui, à son tour, fait dériver les électrons du canal vers le drain avec une certaine vitesse.
Mobilité des électrons à la surface du canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à conduire dans la couche de surface d'un matériau lorsqu'ils sont soumis à un champ électrique.
Champ électrique sur toute la longueur du canal - (Mesuré en Volt) - Le champ électrique sur toute la longueur du canal est la force par unité de charge qu'une particule subit lorsqu'elle se déplace dans le canal.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Mobilité des électrons à la surface du canal: 2.2 Mètre carré par volt par seconde --> 2.2 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Champ électrique sur toute la longueur du canal: 10.6 Volt --> 10.6 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
vd = μn*EL --> 2.2*10.6
Évaluer ... ...
vd = 23.32
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
23.32 Mètre par seconde --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
23.32 Mètre par seconde <-- Vitesse de dérive des électrons
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)
Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille
​ LaTeX ​ Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*Tension de source de drain^2)
NMOS comme résistance linéaire
​ LaTeX ​ Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))
Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS
​ LaTeX ​ Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS Formule

​LaTeX ​Aller
Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal
vd = μn*EL

Expliquez le fonctionnement du transistor NMOS.

Un transistor NMOS avec la tension aux bornes de la source de gaz> tension de seuil et avec une petite tension entre le drain et la source appliquée. L'appareil agit comme une résistance dont la valeur est déterminée par la tension aux bornes de la source de gaz. Plus précisément, la conductance du canal est proportionnelle à la tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil, et donc Id est proportionnelle à la tension (tension aux bornes de la source de gaz - tension de seuil) entre le drain et la source

Qu'est-ce que la mobilité de l'électron dans le canal?

μ

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