Longueur effective du canal Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement
Leff = Lpn-Ld
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Longueur effective du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.
Longueur de jonction PN - (Mesuré en Mètre) - La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.
Largeur de la région d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Longueur de jonction PN: 19 Millimètre --> 0.019 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
Largeur de la région d'épuisement: 11.01 Millimètre --> 0.01101 Mètre (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Leff = Lpn-Ld --> 0.019-0.01101
Évaluer ... ...
Leff = 0.00799
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.00799 Mètre -->7.99 Millimètre (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
7.99 Millimètre <-- Longueur effective du canal
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ LaTeX ​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Longueur effective du canal Formule

​LaTeX ​Aller
Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement
Leff = Lpn-Ld

Quelle est l’importance de la longueur du canal ?

Idéalement, Ids est indépendant de Vds pour un transistor en saturation, faisant du transistor une source de courant parfaite. la jonction p – n entre le drain et le corps forme une région d'appauvrissement avec une largeur Ld qui augmente avec Vdb, ainsi la région d'appauvrissement raccourcit efficacement la longueur du canal.

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