Capacité effective en CMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
Cette formule utilise 1 Constantes, 5 Variables
Constantes utilisées
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23
Variables utilisées
Capacité effective en CMOS - (Mesuré en Farad) - La capacité effective en CMOS est définie comme le rapport entre la quantité de charge électrique stockée sur un conducteur et la différence de potentiel électrique.
Cycle de service - Un cycle de service ou cycle d'alimentation est la fraction d'une période pendant laquelle un signal ou un système est actif.
Hors courant - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'arrêt d'un interrupteur est une valeur inexistante dans la réalité. Les vrais interrupteurs ont normalement un très faible courant de coupure, parfois appelé courant de fuite.
Tension du collecteur de base - (Mesuré en Volt) - La tension du collecteur de base est un paramètre crucial dans la polarisation des transistors. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes de base et de collecteur du transistor lorsqu'il est dans son état actif.
Portes sur le chemin critique - Les portes sur le chemin critique sont définies comme le nombre total de portes logiques requises pendant un temps de cycle dans CMOS.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Cycle de service: 1.3E-25 --> Aucune conversion requise
Hors courant: 0.01 Milliampère --> 1E-05 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
Tension du collecteur de base: 2.02 Volt --> 2.02 Volt Aucune conversion requise
Portes sur le chemin critique: 0.95 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
Évaluer ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.13789525162511E-06 Farad -->5.13789525162511 microfarades (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
5.13789525162511 5.137895 microfarades <-- Capacité effective en CMOS
(Calcul effectué en 00.013 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Largeur de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source
Zone de diffusion de la source
​ LaTeX ​ Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition
CMOS Moyenne Parcours Libre
​ LaTeX ​ Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
Tension critique CMOS
​ LaTeX ​ Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Capacité effective en CMOS Formule

​LaTeX ​Aller
Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

Qu'est-ce que la conduction sous-seuil?

La conduction sous-seuil ou la fuite sous-seuil ou le courant de drain sous-seuil est le courant entre la source et le drain d'un MOSFET lorsque le transistor est dans la région sous-seuil, ou dans la région à faible inversion, c'est-à-dire pour les tensions grille-source inférieures à la tension de seuil.

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