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Densité du courant de dérive due aux trous Calculatrice

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✖La concentration de trous fait référence au nombre d'électrons par unité de volume dans un matériau.ⓘ Concentration des trous [p]			+10% -10%
✖La mobilité des trous représente la capacité de ces porteurs de charge à se déplacer en réponse à un champ électrique.ⓘ Mobilité des trous [μ_p]			+10% -10%
✖L'intensité du champ électrique est une quantité vectorielle qui représente la force subie par une charge de test positive en un point donné de l'espace en raison de la présence d'autres charges.ⓘ Intensité du champ électrique [E_i]			+10% -10%

✖La densité de courant de dérive due aux trous fait référence au mouvement des porteurs de charge (trous) dans un matériau semi-conducteur sous l'influence d'un champ électrique.ⓘ Densité du courant de dérive due aux trous [J_p]

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Densité du courant de dérive due aux trous Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Densité du courant de dérive due aux trous - (Mesuré en Ampère par mètre carré) - La densité de courant de dérive due aux trous fait référence au mouvement des porteurs de charge (trous) dans un matériau semi-conducteur sous l'influence d'un champ électrique.
Concentration des trous - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de trous fait référence au nombre d'électrons par unité de volume dans un matériau.
Mobilité des trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous représente la capacité de ces porteurs de charge à se déplacer en réponse à un champ électrique.
Intensité du champ électrique - (Mesuré en Volt par mètre) - L'intensité du champ électrique est une quantité vectorielle qui représente la force subie par une charge de test positive en un point donné de l'espace en raison de la présence d'autres charges.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration des trous: 1E+20 Électrons par mètre cube --> 1E+20 Électrons par mètre cube Aucune conversion requise
Mobilité des trous: 400 Mètre carré par volt par seconde --> 400 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Intensité du champ électrique: 11.2 Volt par mètre --> 11.2 Volt par mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Évaluer ... ...

J_p = 71777.512576

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

71777.512576 Ampère par mètre carré -->0.071777512576 Ampère par millimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.071777512576 ≈ 0.071778 Ampère par millimètre carré <-- Densité du courant de dérive due aux trous

(Calcul effectué en 00.015 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Effet corporel dans MOSFET

LaTeX Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

LaTeX Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

LaTeX Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Densité du courant de dérive due aux trous Formule

LaTeX Aller

Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i

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