Calculatrice A à Z
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Fabrication de circuits intégrés MOS
Déclencheur Schmitt
Fabrication de circuits intégrés bipolaires
✖
La concentration électronique fait référence au nombre d'électrons par unité de volume dans un matériau.
ⓘ
Concentration d'électrons [n]
Électrons par centimètre cube
Électrons par mètre cube
+10%
-10%
✖
La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.
ⓘ
Mobilité électronique [μ
n
]
Centimètre carré par volt seconde
Mètre carré par volt par seconde
+10%
-10%
✖
L'intensité du champ électrique est une quantité vectorielle qui représente la force subie par une charge de test positive en un point donné de l'espace en raison de la présence d'autres charges.
ⓘ
Intensité du champ électrique [E
i
]
Kilovolt par mètre
Microvolt par mètre
Millivolt par mètre
Newtons / Coulomb
Volt par mètre
Volt par micromètre
Volt par millimètre
+10%
-10%
✖
La densité de courant de dérive due aux électrons fait référence au mouvement des porteurs de charge (électrons) dans un matériau semi-conducteur sous l'influence d'un champ électrique.
ⓘ
Densité de courant de dérive due aux électrons libres [J
n
]
Ampère
centiampère
Déciampère
Hectoampère
Microampère
Milliampère
Nanoampère
Picoampère
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Densité de courant de dérive due aux électrons libres
Formule
J
n
=
[Charge-e]
⋅
n
⋅
μ
n
⋅
E
i
Exemple
53.83313 µA
=
[Charge-e]
⋅
1E+6 electrons/cm³
⋅
30 m²/V*s
⋅
11.2 V/m
Calculatrice
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Densité de courant de dérive due aux électrons libres Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Densité de courant de dérive due aux électrons
=
[Charge-e]
*
Concentration d'électrons
*
Mobilité électronique
*
Intensité du champ électrique
J
n
=
[Charge-e]
*
n
*
μ
n
*
E
i
Cette formule utilise
1
Constantes
,
4
Variables
Constantes utilisées
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Variables utilisées
Densité de courant de dérive due aux électrons
-
(Mesuré en Ampère)
- La densité de courant de dérive due aux électrons fait référence au mouvement des porteurs de charge (électrons) dans un matériau semi-conducteur sous l'influence d'un champ électrique.
Concentration d'électrons
-
(Mesuré en Électrons par mètre cube)
- La concentration électronique fait référence au nombre d'électrons par unité de volume dans un matériau.
Mobilité électronique
-
(Mesuré en Mètre carré par volt par seconde)
- La mobilité électronique décrit la rapidité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le matériau en réponse à un champ électrique.
Intensité du champ électrique
-
(Mesuré en Volt par mètre)
- L'intensité du champ électrique est une quantité vectorielle qui représente la force subie par une charge de test positive en un point donné de l'espace en raison de la présence d'autres charges.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Concentration d'électrons:
1000000 Électrons par centimètre cube --> 1000000000000 Électrons par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Mobilité électronique:
30 Mètre carré par volt par seconde --> 30 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Intensité du champ électrique:
11.2 Volt par mètre --> 11.2 Volt par mètre Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
J
n
= [Charge-e]*n*μ
n
*E
i
-->
[Charge-e]
*1000000000000*30*11.2
Évaluer ... ...
J
n
= 5.3833134432E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
5.3833134432E-05 Ampère -->53.833134432 Microampère
(Vérifiez la conversion
ici
)
RÉPONSE FINALE
53.833134432
≈
53.83313 Microampère
<--
Densité de courant de dérive due aux électrons
(Calcul effectué en 00.005 secondes)
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Densité de courant de dérive due aux électrons libres
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
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Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices
Effet corporel dans MOSFET
Aller
Tension de seuil avec substrat
=
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
+
Paramètre d'effet corporel
*(
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
+
Tension appliquée au corps
)-
sqrt
(2*
Potentiel Fermi en vrac
))
Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation
Aller
Courant de vidange
=
Paramètre de transconductance
/2*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle
)^2*(1+
Facteur de modulation de longueur de canal
*
Tension de source de drain
)
Résistance du canal
Aller
Résistance du canal
=
Longueur du transistor
/
Largeur du transistor
*1/(
Mobilité électronique
*
Densité des porteurs
)
Fréquence de gain unitaire MOSFET
Aller
Fréquence de gain unitaire dans MOSFET
=
Transconductance dans MOSFET
/(
Capacité de la source de porte
+
Capacité de drainage de porte
)
Voir plus >>
Densité de courant de dérive due aux électrons libres Formule
Densité de courant de dérive due aux électrons
=
[Charge-e]
*
Concentration d'électrons
*
Mobilité électronique
*
Intensité du champ électrique
J
n
=
[Charge-e]
*
n
*
μ
n
*
E
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