Courant de saturation de drain du MOSFET Calculatrice

✖La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d'un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source.ⓘ Transconductance de processus dans PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).ⓘ Largeur de canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.ⓘ Tension efficace [V_eff]			+10% -10%

✖Le courant de drain de saturation est un paramètre important dans la conceptionⓘ Courant de saturation de drain du MOSFET [I_d(sat)]

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Courant de saturation de drain du MOSFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drain de saturation = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de drain de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de saturation est un paramètre important dans la conception
Transconductance de processus dans PMOS - (Mesuré en Siemens) - La transconductance de processus dans PMOS fait référence au gain d'un transistor PMOS par rapport à sa tension grille-source.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la plage de fréquences utilisée pour transmettre des données sur un canal de communication sans fil. Elle est également connue sous le nom de bande passante et se mesure en hertz (Hz).
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal fait référence à la distance entre les bornes source et drain dans un transistor à effet de champ (FET).
Tension efficace - (Mesuré en Volt) - La tension effective dans un MOSFET (Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) est la tension qui détermine le comportement de l'appareil. Elle est également connue sous le nom de tension grille-source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance de processus dans PMOS: 0.58 millisiemens --> 0.00058 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 100 Micromètre --> 0.0001 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension efficace: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Évaluer ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

8.381E-05 Ampère -->0.08381 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.08381 Milliampère <-- Courant de drain de saturation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Actuel » Courant de saturation de drain du MOSFET

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Deuxième courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

LaTeX Aller Courant de drain 2 = Courant de polarisation CC/2-Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-(Signal d'entrée différentiel)^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Premier courant de drain du MOSFET en fonctionnement à grand signal

LaTeX Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2*sqrt(1-Signal d'entrée différentiel^2/(4*Tension de surmultiplication^2))

Premier courant de drain du MOSFET lors d'un fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

LaTeX Aller Courant de drain 1 = Courant de polarisation CC/2+Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication*Signal d'entrée différentiel/2

Courant de drain du MOSFET en cas de fonctionnement à grand signal compte tenu de la tension de surmultiplication

LaTeX Aller Courant de vidange = (Courant de polarisation CC/Tension de surmultiplication)*(Signal d'entrée différentiel/2)

Courant de saturation de drain du MOSFET Formule

LaTeX Aller

Courant de drain de saturation = 1/2*Transconductance de processus dans PMOS*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension efficace)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

Qu'est-ce que le courant de saturation du drain?

Une couche d'appauvrissement située à l'extrémité drain de la grille reçoit la tension drain-source supplémentaire. Ce comportement est appelé saturation du courant de drain. Le modèle quadratique explique les caractéristiques courant-tension typiques d'un MOSFET, qui sont normalement tracées pour différentes tensions grille-source.

Combien de courant un MOSFET peut-il gérer?

Les MOSFET à ampérage élevé comme le 511-STP200N3LL disent qu'ils peuvent gérer 120 ampères de courant. Le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde de métal, ou MOSFET en abrégé, a une résistance de grille d'entrée extrêmement élevée, le courant traversant le canal entre la source et le drain étant contrôlé par la tension de grille.

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