Résistance de vidange du MESFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Résistance aux fuites = ((4*Fréquence maximale des oscillations^2)/Fréquence de coupure^2)*(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)
Rd = ((4*fm^2)/fco^2)*(Rs+Rg+Ri)
Cette formule utilise 6 Variables
Variables utilisées
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.
Fréquence maximale des oscillations - (Mesuré en Hertz) - La fréquence maximale des oscillations est définie comme la limite supérieure pratique pour le fonctionnement utile du circuit avec MESFET.
Fréquence de coupure - (Mesuré en Hertz) - La fréquence de coupure est définie comme la fréquence de coin est une limite dans la réponse en fréquence du système à laquelle l'énergie circulant à travers le système commence à être réduite plutôt que de la traverser.
Résistance à la source - (Mesuré en Ohm) - La résistance de la source est une mesure de la mesure dans laquelle cette source s'oppose à la charge qui en tire du courant.
Résistance de métallisation de porte - (Mesuré en Ohm) - La résistance de métallisation de grille est définie comme la résistance de métallisation d'une bande de grille FET qui a pour effet de placer une résistance non linéaire en série avec la jonction de grille.
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée est définie comme la résistance interne totale rencontrée par MESFET.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Fréquence maximale des oscillations: 65 Hertz --> 65 Hertz Aucune conversion requise
Fréquence de coupure: 30.05 Hertz --> 30.05 Hertz Aucune conversion requise
Résistance à la source: 5.75 Ohm --> 5.75 Ohm Aucune conversion requise
Résistance de métallisation de porte: 2.8 Ohm --> 2.8 Ohm Aucune conversion requise
Résistance d'entrée: 15.5 Ohm --> 15.5 Ohm Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Rd = ((4*fm^2)/fco^2)*(Rs+Rg+Ri) --> ((4*65^2)/30.05^2)*(5.75+2.8+15.5)
Évaluer ... ...
Rd = 450.103958737656
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
450.103958737656 Ohm --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
450.103958737656 450.104 Ohm <-- Résistance aux fuites
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

Caractéristiques du MESFET Calculatrices

Capacité de la source de porte
​ LaTeX ​ Aller Capacité de la source de porte = Transconductance/(2*pi*Fréquence de coupure)
Longueur de porte du MESFET
​ LaTeX ​ Aller Longueur de la porte = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Fréquence de coupure)
Fréquence de coupure
​ LaTeX ​ Aller Fréquence de coupure = Vitesse de dérive saturée/(4*pi*Longueur de la porte)
Transconductance dans MESFET
​ LaTeX ​ Aller Transconductance = 2*Capacité de la source de porte*pi*Fréquence de coupure

Résistance de vidange du MESFET Formule

​LaTeX ​Aller
Résistance aux fuites = ((4*Fréquence maximale des oscillations^2)/Fréquence de coupure^2)*(Résistance à la source+Résistance de métallisation de porte+Résistance d'entrée)
Rd = ((4*fm^2)/fco^2)*(Rs+Rg+Ri)

Qu'est-ce que MESFET?

Un MESFET (transistor à effet de champ métal-semi-conducteur) est un dispositif semi-conducteur à transistor à effet de champ similaire à un JFET avec une jonction Schottky (métal-semi-conducteur) au lieu d'une jonction ap-n pour une grille.

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