Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS Calculatrice

Courant de drainage de la région de saturation = Largeur de canal*Vitesse de dérive des électrons de saturation*int(Charge*Paramètre de canal court,x,0,Longueur effective du canal)
I_D(sat) = W*V_d(sat)*int(q*n_x,x,0,L_eff)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 6 Variables
int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer l'aire nette signée, qui est l'aire au-dessus de l'axe des x moins l'aire en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)Courant de drainage de la région de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de la région de saturation est le courant circulant de la borne de drain à la borne source lorsque le transistor fonctionne dans un mode spécifique.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.
Vitesse de dérive des électrons de saturation - (Mesuré en Mètre par seconde) - La vitesse de dérive des électrons à saturation représente la vitesse de dérive des électrons à saturation dans un MOSFET qui se trouve à de faibles champs électriques.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Une charge est la propriété fondamentale des formes de matière qui présentent une attraction ou une répulsion électrostatique en présence d'une autre matière.
Paramètre de canal court - Le paramètre de canal court est un paramètre (potentiellement spécifique au modèle) utilisé pour décrire une caractéristique de la région du canal dans un MOSFET à canal court.
Longueur effective du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur effective du canal est la partie du canal qui conduit activement le courant lorsque le transistor fonctionne.

(Calcul effectué en 00.020 secondes)