Drainer le courant de la source au drain Calculatrice

✖La largeur de jonction est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.ⓘ Largeur de jonction [W]			+10% -10%
✖La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.ⓘ Charge de couche d'inversion [Q_p]			+10% -10%
✖La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,ⓘ Mobilité des trous dans le canal [μ_p]			+10% -10%
✖La composante horizontale du champ électrique dans le canal est la force du champ électrique qui existe dans le matériau sous la couche d'oxyde de grille, dans la région où la couche d'inversion est formée.ⓘ Composante horizontale du champ électrique dans le canal [E_y]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).ⓘ Drainer le courant de la source au drain [I_d]

⎘ Copie

👎

Formule

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger MOSFET Formule PDF PDF Image

Drainer le courant de la source au drain Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Largeur de jonction - (Mesuré en Mètre) - La largeur de jonction est le paramètre qui indique la largeur de la jonction de base de tout élément électronique analogique.
Charge de couche d'inversion - (Mesuré en Coulomb au mètre carré) - La charge de la couche d'inversion fait référence à l'accumulation de porteurs de charge à l'interface entre le semi-conducteur et la couche d'oxyde isolante lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille.
Mobilité des trous dans le canal - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous dans le canal dépend de divers facteurs tels que la structure cristalline du matériau semi-conducteur, la présence d'impuretés, la température,
Composante horizontale du champ électrique dans le canal - (Mesuré en Volt par mètre) - La composante horizontale du champ électrique dans le canal est la force du champ électrique qui existe dans le matériau sous la couche d'oxyde de grille, dans la région où la couche d'inversion est formée.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de jonction: 1.19 Mètre --> 1.19 Mètre Aucune conversion requise
Charge de couche d'inversion: 0.0017 Coulomb au mètre carré --> 0.0017 Coulomb au mètre carré Aucune conversion requise
Mobilité des trous dans le canal: 2.66 Mètre carré par volt par seconde --> 2.66 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Composante horizontale du champ électrique dans le canal: 5.5 Volt par mètre --> 5.5 Volt par mètre Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y) --> (1.19*0.0017*2.66*5.5)

Évaluer ... ...

I_d = 0.02959649

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.02959649 Ampère -->29.59649 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

29.59649 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Amélioration du canal P » Drainer le courant de la source au drain

Crédits

Créé par Aman Dhussawat

INSTITUT DE TECHNOLOGIE GURU TEGH BAHADUR (GTBIT), NEW DELHI

Aman Dhussawat a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 500+ autres calculatrices!

< Amélioration du canal P Calculatrices

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*((Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))*Tension entre drain et source-1/2*(Tension entre drain et source)^2)

Courant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(modulus(Tension efficace)-1/2*Tension entre drain et source)*Tension entre drain et source

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS

LaTeX Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension entre la porte et la source-modulus(Tension de seuil))^2

Courant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov

LaTeX Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect*(Tension efficace)^2

Drainer le courant de la source au drain Formule

LaTeX Aller

Courant de vidange = (Largeur de jonction*Charge de couche d'inversion*Mobilité des trous dans le canal*Composante horizontale du champ électrique dans le canal)
I_d = (W*Q_p*μ_p*E_y)

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!