Courant de drain du transistor Calculatrice

✖La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.ⓘ Tension des composants fondamentaux [V_fc]			+10% -10%
✖La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.ⓘ Tension de vidange instantanée totale [V_d]			+10% -10%
✖La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.ⓘ Résistance aux fuites [R_d]			+10% -10%

✖Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant de drain du transistor [i_d]

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Courant de drain du transistor Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites
i_d = (V_fc+V_d)/R_d
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain inférieur à la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec la tension grille-source.
Tension des composants fondamentaux - (Mesuré en Volt) - La tension du composant fondamental est la première harmonique de la tension dans l'analyse harmonique de l'onde carrée de tension dans un circuit basé sur un onduleur.
Tension de vidange instantanée totale - (Mesuré en Volt) - La tension de drain instantanée totale est la tension qui tombe aux bornes grille-source du transistor.
Résistance aux fuites - (Mesuré en Ohm) - La résistance de drain est le rapport entre la variation de la tension drain-source et la variation correspondante du courant de drain pour une tension grille-source constante.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension des composants fondamentaux: 5 Volt --> 5 Volt Aucune conversion requise
Tension de vidange instantanée totale: 1.284 Volt --> 1.284 Volt Aucune conversion requise
Résistance aux fuites: 0.36 Kilohm --> 360 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

i_d = (V_fc+V_d)/R_d --> (5+1.284)/360

Évaluer ... ...

i_d = 0.0174555555555556

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0174555555555556 Ampère -->17.4555555555556 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

17.4555555555556 ≈ 17.45556 Milliampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde

LaTeX Aller Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source

Courant entrant dans la borne de drain du MOSFET à saturation

LaTeX Aller Courant de drainage de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance du processus*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension efficace)^2

Tension de drain instantanée totale

LaTeX Aller Tension de vidange instantanée totale = Tension des composants fondamentaux-Résistance aux fuites*Courant de vidange

Tension d'entrée dans le transistor

LaTeX Aller Tension des composants fondamentaux = Résistance aux fuites*Courant de vidange-Tension de vidange instantanée totale

Courant de drain du transistor Formule

LaTeX Aller

Courant de vidange = (Tension des composants fondamentaux+Tension de vidange instantanée totale)/Résistance aux fuites
i_d = (V_fc+V_d)/R_d

À quoi sert le circuit de porte commune?

Cette configuration de circuit est normalement utilisée comme amplificateur de tension. La source de FET dans cette configuration fonctionne comme entrée et le drain comme sortie.

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