Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation Calculatrice

Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)
I_d = β/2*(V_gs-V_th)^2*(1+λ_i*V_ds)
Cette formule utilise 6 Variables
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain fait référence au courant circulant entre les bornes de drain et de source du transistor lorsqu'il est en fonctionnement.
Paramètre de transconductance - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance est défini comme le rapport entre la modification du courant de sortie et la modification de la tension d'entrée d'un appareil.
Tension de source de porte - (Mesuré en Volt) - La tension source de grille fait référence à la différence de potentiel entre la borne de grille et la borne source de l'appareil. Cette tension joue un rôle crucial dans le contrôle de la conductivité du MOSFET.
Tension de seuil avec polarisation de corps nulle - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil avec polarisation corporelle nulle fait référence à la tension de seuil lorsqu'aucune polarisation externe n'est appliquée au substrat semi-conducteur (borne du corps).
Facteur de modulation de longueur de canal - Facteur de modulation de longueur de canal dans lequel la longueur effective du canal augmente avec une augmentation de la tension drain-source.
Tension de source de drain - (Mesuré en Volt) - La tension de source de drain est la tension aux bornes du drain et de la source.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)