Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la sourceⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%

✖Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.ⓘ Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension [k_n]

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Formule

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Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Formule

k n = k' p \cdot WL

Exemple

0.00021 A/V² = 2.1 mS \cdot 0.1

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Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect
k_n = k'_p*WL
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Paramètre de transconductance - (Mesuré en Ampère par volt carré) - Le paramètre de transconductance est un paramètre crucial dans les appareils et circuits électroniques, qui aide à décrire et à quantifier la relation entrée-sortie entre la tension et le courant.
Paramètre de transconductance de processus dans PMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Ratio d'aspect - Le rapport d'aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C'est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus dans PMOS: 2.1 millisiemens --> 0.0021 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 0.1 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

k_n = k'_p*WL --> 0.0021*0.1

Évaluer ... ...

k_n = 0.00021

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00021 Ampère par volt carré --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.00021 Ampère par volt carré <-- Paramètre de transconductance

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension Formule

Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect
k_n = k'_p*WL

À quoi sert un MOSFET?

Le transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) est un dispositif semi-conducteur largement utilisé à des fins de commutation et pour l'amplification de signaux électroniques dans les appareils électroniques.

Quels sont les types de MOSFET?

Il existe deux classes de MOSFET. Il existe un mode d'épuisement et un mode d'amélioration. Chaque classe est disponible sous forme de canal n ou p, ce qui donne un total de quatre types de MOSFET. Le mode d'épuisement se présente sous la forme d'un N ou d'un P et un mode d'amélioration est d'un N ou d'un P.

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