✖La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.ⓘ Largeur de canal [W] | | | +10% -10% |
✖La longueur du canal dans un MOSFET est la distance entre les régions de source et de drain, déterminant la facilité avec laquelle le courant circule et ayant un impact sur les performances du transistor.ⓘ Longueur du canal [L] | | | +10% -10% |
✖La mobilité électronique dans le MOSFET décrit la facilité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le canal, affectant directement le flux de courant pour une tension donnée.ⓘ Mobilité électronique [μn] | | | +10% -10% |
✖La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.ⓘ Capacité d'oxyde [Cox] | | | +10% -10% |
✖La tension de source de grille est la tension appliquée entre les bornes de grille et de source d'un MOSFET.ⓘ Tension de source de porte [VGS] | | | +10% -10% |
✖La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.ⓘ Tension de seuil [VT] | | | +10% -10% |
✖La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.ⓘ Tension de source de drain [VDS] | | | +10% -10% |