Courant de drain circulant à travers le transistor MOS Calculatrice

✖La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.ⓘ Largeur de canal [W]			+10% -10%
✖La longueur du canal dans un MOSFET est la distance entre les régions de source et de drain, déterminant la facilité avec laquelle le courant circule et ayant un impact sur les performances du transistor.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La mobilité électronique dans le MOSFET décrit la facilité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le canal, affectant directement le flux de courant pour une tension donnée.ⓘ Mobilité électronique [μ_n]			+10% -10%
✖La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.ⓘ Capacité d'oxyde [C_ox]			+10% -10%
✖La tension de source de grille est la tension appliquée entre les bornes de grille et de source d'un MOSFET.ⓘ Tension de source de porte [V_GS]			+10% -10%
✖La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.ⓘ Tension de seuil [V_T]			+10% -10%
✖La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.ⓘ Tension de source de drain [V_DS]			+10% -10%

✖Le courant de drain est le courant circulant de la borne de drain à la borne source, contrôlé par la tension appliquée à la grille.ⓘ Courant de drain circulant à travers le transistor MOS [I_D]

⎘ Copie

👎

Formule

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger MOSFET Formule PDF PDF Image

Courant de drain circulant à travers le transistor MOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de vidange = (Largeur de canal/Longueur du canal)*Mobilité électronique*Capacité d'oxyde*int((Tension de source de porte-x-Tension de seuil),x,0,Tension de source de drain)
I_D = (W/L)*μ_n*C_ox*int((V_GS-x-V_T),x,0,V_DS)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 8 Variables

Fonctions utilisées

int - L'intégrale définie peut être utilisée pour calculer l'aire nette signée, qui est l'aire au-dessus de l'axe des x moins l'aire en dessous de l'axe des x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilisées

Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant circulant de la borne de drain à la borne source, contrôlé par la tension appliquée à la grille.
Largeur de canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal représente la largeur du canal conducteur dans un MOSFET, affectant directement la quantité de courant qu'il peut gérer.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal dans un MOSFET est la distance entre les régions de source et de drain, déterminant la facilité avec laquelle le courant circule et ayant un impact sur les performances du transistor.
Mobilité électronique - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité électronique dans le MOSFET décrit la facilité avec laquelle les électrons peuvent se déplacer à travers le canal, affectant directement le flux de courant pour une tension donnée.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad) - La capacité d'oxyde fait référence à la capacité associée à la couche d'oxyde isolante dans une structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOS), comme dans les MOSFET.
Tension de source de porte - (Mesuré en Volt) - La tension de source de grille est la tension appliquée entre les bornes de grille et de source d'un MOSFET.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil est la tension grille-source minimale requise dans un MOSFET pour l'activer et permettre à un courant important de circuler.
Tension de source de drain - (Mesuré en Volt) - La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de canal: 2.678 Mètre --> 2.678 Mètre Aucune conversion requise
Longueur du canal: 3.45 Mètre --> 3.45 Mètre Aucune conversion requise
Mobilité électronique: 9.92 Mètre carré par volt par seconde --> 9.92 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise
Capacité d'oxyde: 3.9 Farad --> 3.9 Farad Aucune conversion requise
Tension de source de porte: 29.65 Volt --> 29.65 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 5.91 Volt --> 5.91 Volt Aucune conversion requise
Tension de source de drain: 45 Volt --> 45 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_D = (W/L)*μ_n*C_ox*int((V_GS-x-V_T),x,0,V_DS) --> (2.678/3.45)*9.92*3.9*int((29.65-x-5.91),x,0,45)

Évaluer ... ...

I_D = 1675.72193947826

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1675.72193947826 Ampère --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1675.72193947826 ≈ 1675.722 Ampère <-- Courant de vidange

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Transistors MOS » Courant de drain circulant à travers le transistor MOS

Crédits

Créé par Vignesh Naidu

Institut de technologie de Vellore (VIT), Vellore,Tamil Nadu

Vignesh Naidu a créé cette calculatrice et 10+ autres calculatrices!

Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< Transistors MOS Calculatrices

Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

LaTeX Aller Facteur d’équivalence de tension des parois latérales = -(2*sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales)/(Tension finale-Tension initiale)*(sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension finale)-sqrt(Potentiel intégré des jonctions des parois latérales-Tension initiale)))

Potentiel de Fermi pour le type P

LaTeX Aller Potentiel de Fermi pour le type P = ([BoltZ]*Température absolue)/[Charge-e]*ln(Concentration intrinsèque de porteurs/Concentration dopante de l'accepteur)

Capacité équivalente à grande jonction de signal

LaTeX Aller Capacité équivalente à grande jonction de signal = Périmètre du flanc*Capacité de jonction des parois latérales*Facteur d’équivalence de tension des parois latérales

Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur

LaTeX Aller Capacité de jonction des parois latérales = Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation*Profondeur du flanc

Courant de drain circulant à travers le transistor MOS Formule

LaTeX Aller

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!