✖La mobilité de l'électron est définie comme l'amplitude de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.ⓘ Mobilité de l'électron [μn] | | | +10% -10% |
✖La capacité d'oxyde de grille est la capacité d'un composant ou d'un circuit à collecter et à stocker de l'énergie sous la forme d'une charge électrique.ⓘ Capacité d'oxyde de grille [Cox] | | | +10% -10% |
✖La largeur de jonction de grille est définie comme la largeur de la jonction de grille dans un dispositif semi-conducteur.ⓘ Largeur de jonction de porte [Wgate] | | | +10% -10% |
✖La longueur de la porte est simplement la longueur de la porte physique. La longueur de canal est le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.ⓘ Longueur de porte [Lg] | | | +10% -10% |
✖La tension de source de grille d'un transistor est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.ⓘ Tension de source de grille [Vgs] | | | +10% -10% |
✖La tension de seuil du transistor est la tension minimale entre la grille et la source nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes de source et de drain.ⓘ Tension de seuil [Vth] | | | +10% -10% |
✖La tension de saturation de source de drain est la différence de tension entre l'émetteur et la borne de collecteur requise pour allumer un MOSFET.ⓘ Tension de saturation de la source de drain [Vds] | | | +10% -10% |