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Concentration des donateurs Calculatrice

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Jonction SSD Bande d'énergie et porteur de charge Électrons et trous Porteurs de semi-conducteurs

✖La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.ⓘ Frais totaux de l'accepteur [\|Q\|]			+10% -10%
✖La pénétration de charge de type P fait référence au phénomène par lequel des atomes dopants, tels que le bore ou le gallium, introduisent des trous dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur, généralement du silicium ou du germanium.ⓘ Pénétration de charge de type P [x_po]			+10% -10%
✖La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.ⓘ Zone de jonction [A_j]			+10% -10%

✖La concentration du donneur fait référence à la concentration ou à la densité des atomes donneurs dans un matériau semi-conducteur.ⓘ Concentration des donateurs [N_d]

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Concentration des donateurs Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration des donateurs = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type P*Zone de jonction)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Concentration des donateurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur fait référence à la concentration ou à la densité des atomes donneurs dans un matériau semi-conducteur.
Frais totaux de l'accepteur - (Mesuré en Coulomb) - La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.
Pénétration de charge de type P - (Mesuré en Mètre) - La pénétration de charge de type P fait référence au phénomène par lequel des atomes dopants, tels que le bore ou le gallium, introduisent des trous dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur, généralement du silicium ou du germanium.
Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Frais totaux de l'accepteur: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Aucune conversion requise
Pénétration de charge de type P: 0.06 Micromètre --> 6E-08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Zone de jonction: 5401.3 Micromètre carré --> 5.4013E-09 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j) --> 13/([Charge-e]*6E-08*5.4013E-09)

Évaluer ... ...

N_d = 2.50370647427462E+35

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

2.50370647427462E+35 1 par mètre cube --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

2.50370647427462E+35 ≈ 2.5E+35 1 par mètre cube <-- Concentration des donateurs

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Capacité de jonction

LaTeX Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Résistance série en type P

LaTeX Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Tension de jonction

LaTeX Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Largeur de type N

LaTeX Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Concentration des donateurs Formule

LaTeX Aller

Concentration des donateurs = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type P*Zone de jonction)
N_d = |Q|/([Charge-e]*x_po*A_j)

Qu'est-ce qu'un atome donneur ?

Un donneur est un atome dopant qui, lorsqu'il est ajouté à un semi-conducteur, peut former une région de type n. Un atome donneur a plus d'électrons disponibles pour se lier avec des atomes voisins qu'il n'en faut pour un atome dans le semi-conducteur hôte.

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