PPCM de deux nombres

Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.ⓘ Concentration des donneurs [N_D]			+10% -10%
✖Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.ⓘ Facteur d'échelle [Sf]			+10% -10%

✖La concentration des donneurs après une mise à l'échelle complète pourrait impliquer une prise en compte de la manière dont la concentration des impuretés du donneur est affectée par la réduction des dimensions des transistors.ⓘ Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle [N_D']

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Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète = Concentration des donneurs*Facteur d'échelle
N_D' = N_D*Sf
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration des donneurs après une mise à l'échelle complète pourrait impliquer une prise en compte de la manière dont la concentration des impuretés du donneur est affectée par la réduction des dimensions des transistors.
Concentration des donneurs - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.
Facteur d'échelle - Le facteur d'échelle est défini comme le rapport selon lequel les dimensions du transistor sont modifiées au cours du processus de conception.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration des donneurs: 1E+17 1 par centimètre cube --> 1E+23 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Facteur d'échelle: 1.5 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

N_D' = N_D*Sf --> 1E+23*1.5

Évaluer ... ...

N_D' = 1.5E+23

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.5E+23 1 par mètre cube -->1.5E+17 1 par centimètre cube (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1.5E+17 1 par centimètre cube <-- Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète

(Calcul effectué en 00.226 secondes)

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Crédits

Créé par Priyanka Patel

Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai (PEMD), Ahmedabad

Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Concentration des donneurs après VLSI à pleine échelle Formule

LaTeX Aller

Concentration des donneurs après mise à l'échelle complète = Concentration des donneurs*Facteur d'échelle
N_D' = N_D*Sf

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