PPCM de trois nombres

Matrice par tranche Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS Déclencheur Schmitt Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖Le diamètre de la tranche fait référence à la taille des tranches de silicium utilisées dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Ces plaquettes servent de matériau de base sur lequel reposent les dispositifs semi-conducteurs.ⓘ Diamètre de la plaquette [d_w]			+10% -10%
✖La taille de chaque puce fait référence aux dimensions physiques d'une puce semi-conductrice ou d'un circuit intégré (CI) individuel tel qu'il est fabriqué sur une plaquette de silicium.ⓘ Taille de chaque matrice [S_d]			+10% -10%

✖Die Per Wafer désigne le nombre de puces pouvant être fabriquées à partir d’une seule plaquette.ⓘ Matrice par tranche [DPW]

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Matrice par tranche Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Matrice par tranche - Die Per Wafer désigne le nombre de puces pouvant être fabriquées à partir d’une seule plaquette.
Diamètre de la plaquette - (Mesuré en Mètre) - Le diamètre de la tranche fait référence à la taille des tranches de silicium utilisées dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Ces plaquettes servent de matériau de base sur lequel reposent les dispositifs semi-conducteurs.
Taille de chaque matrice - (Mesuré en Mètre carré) - La taille de chaque puce fait référence aux dimensions physiques d'une puce semi-conductrice ou d'un circuit intégré (CI) individuel tel qu'il est fabriqué sur une plaquette de silicium.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Diamètre de la plaquette: 150 Millimètre --> 0.15 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Taille de chaque matrice: 22 Millimètre carré --> 2.2E-05 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Évaluer ... ...

DPW = 803.248121656481

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

803.248121656481 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Matrice par tranche

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

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Effet corporel dans MOSFET

LaTeX Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

LaTeX Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Résistance du canal

LaTeX Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

LaTeX Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)