PGCD de deux nombres

Coefficient DIBL Calculatrice

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Optimisation des matériaux VLSI Conception VLSI analogique

✖La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.ⓘ Tension de seuil DIBL [V_t0]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.ⓘ Potentiel de drainage vers la source [V_ds]			+10% -10%

✖Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.ⓘ Coefficient DIBL [η]

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Coefficient DIBL Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
η = (V_t0-V_t)/V_ds
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Coefficient DIBL - Le coefficient DIBL dans un appareil cmos est généralement représenté de l'ordre de 0,1.
Tension de seuil DIBL - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil dibl est définie comme la tension minimale requise par la jonction source du potentiel corporel, lorsque la source est au potentiel corporel.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Potentiel de drainage vers la source - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de drainage vers la source est le potentiel entre le drainage et la source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil DIBL: 0.59 Volt --> 0.59 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise
Potentiel de drainage vers la source: 1.45 Volt --> 1.45 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

η = (V_t0-V_t)/V_ds --> (0.59-0.3)/1.45

Évaluer ... ...

η = 0.2

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.2 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.2 <-- Coefficient DIBL

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Coefficient d'effet corporel

LaTeX Aller Coefficient d'effet corporel = modulus((Tension de seuil-Tension de seuil DIBL)/(sqrt(Potentiel des surfaces+(Différence potentielle du corps source))-sqrt(Potentiel des surfaces)))

Coefficient DIBL

LaTeX Aller Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source

Charge de canal

LaTeX Aller Frais de canal = Capacité de porte*(Tension porte à canal-Tension de seuil)

Tension critique

LaTeX Aller Tension critique = Champ électrique critique*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Coefficient DIBL Formule

LaTeX Aller

Coefficient DIBL = (Tension de seuil DIBL-Tension de seuil)/Potentiel de drainage vers la source
η = (V_t0-V_t)/V_ds

Quelle est l'importance de l'abaissement de la barrière induite par le drainage (DIBL) ?

La tension de drain Vds crée un champ électrique qui affecte la tension de seuil. Cet effet d'abaissement de barrière induit par le drain (DIBL) est particulièrement prononcé dans les transistors à canal court. L'abaissement de barrière induit par le drain fait augmenter Ids avec Vds en saturation, à peu près de la même manière que la modulation de longueur de canal. Cet effet peut être regroupé dans une plus petite tension précoce VA. Encore une fois, c'est un fléau pour la conception analogique mais insignifiant pour la plupart des circuits numériques. Plus significativement, DIBL augmente les fuites sous le seuil à Vds élevé.

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