Profondeur de la région d'épuisement associée à la source Calculatrice

Profondeur de la région d'épuisement de la source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potentiel de jonction intégré)/([Charge-e]*Concentration dopante de l'accepteur))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A))
Cette formule utilise 2 Constantes, 1 Les fonctions, 3 Variables
[Permitivity-silicon] - Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)Profondeur de la région d'épuisement de la source - (Mesuré en Mètre) - La profondeur de la région d'appauvrissement de la source est la région d'appauvrissement qui se forme près de la borne source lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
Potentiel de jonction intégré - (Mesuré en Volt) - Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.
Concentration dopante de l'accepteur - (Mesuré en Électrons par mètre cube) - La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)