Calculatrice A à Z
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Signal et systèmes
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Théorie des champs électromagnétiques
Théorie des micro-ondes
Traitement d'image numérique
Transmission par fibre optique
⤿
MOSFET
BJT
⤿
Transistors MOS
Actuel
Amélioration du canal N
Amélioration du canal P
Analyse des petits signaux
Biais
Caractéristiques du MOSFET
Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence
Facteur d'amplification ou gain
Rapport de réjection en mode commun (CMRR)
Résistance
Tension
Transconductance
✖
Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.
ⓘ
Potentiel de jonction intégré [Φ
o
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.
ⓘ
Tension de source de drain [V
DS
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
ⓘ
Concentration dopante de l'accepteur [N
A
]
Électrons par Angström Cube
Électrons par attomètre cube
Électrons par centimètre cube
Électrons par femtomètre cube
Électrons par mètre cube
Électrons par micromètre cube
Électrons par millimètre cube
Électrons par nanomètre cube
Électrons par picomètre cube
+10%
-10%
✖
La région de profondeur de déplétion du drain est la région de déplétion qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
ⓘ
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain [x
dD
]
Aln
Angstrom
Arpent
Unité astronomique
Attomètre
UA de longueur
Barleycorn
Million d'années lumineuses
Bohr Rayon
Câble (international)
Câble (UK)
Câble (US)
Calibre
Centimètre
Chaîne
Cubit (grec)
Coudée (longue)
Cubit (UK)
Décamètre
Décimètre
Distance de la Terre à la Lune
Distance de la Terre au Soleil
Rayon équatorial de la Terre
Rayon polaire terrestre
Electron Radius (Classique)
Aune
Examinateur
Brasse
Brasse
femtomètre
Fermi
Doigt (tissu)
Fingerbreadth
Pied
pied (Enquête US)
Furlong
Gigamètre
Main
Handbreadth
Hectomètre
Pouce
Ken
Kilomètre
Kiloparsec
Kiloyard
Ligue
Ligue (Statut)
Année-lumière
Lien
Mégamètre
Mégaparsec
Mètre
Micropouce
Micromètre
Micron
mille
Mile
Mille (Romain)
Mile (enquête américaine)
Millimètre
Million d'années lumineuses
Clou (tissu)
Nanomètre
Ligue Nautique (int)
Ligue Nautique Royaume-Uni
Mile Nautique (International)
Nautical Mile (Royaume-Uni)
Parsec
Perche
Petameter
cicéro
Picomètre
Planck Longueur
Indiquer
Pôle
Trimestre
Roseau
Roseau (Long)
Barre
Roman Actus
Corde
Archin russe
Span (Tissu)
Rayon du soleil
Téramètre
Twip
Vara Castellana
Vara Conuquera
Tâche Vara
Cour
Yoctomètre
Yottamètre
Zeptomètre
Zettamètre
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain
Formule
`"x"_{"dD"} = sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*("Φ"_{"o"}+"V"_{"DS"}))/("[Charge-e]"*"N"_{"A"}))`
Exemple
`"7.2E^7m"=sqrt((2*"[Permitivity-silicon]"*("2V"+"45V"))/("[Charge-e]"*"1.32electrons/cm³"))`
Calculatrice
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Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Profondeur de la région d'épuisement du drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potentiel de jonction intégré
+
Tension de source de drain
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Cette formule utilise
2
Constantes
,
1
Les fonctions
,
4
Variables
Constantes utilisées
[Permitivity-silicon]
- Permittivité du silicium Valeur prise comme 11.7
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
Fonctions utilisées
sqrt
- Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)
Variables utilisées
Profondeur de la région d'épuisement du drain
-
(Mesuré en Mètre)
- La région de profondeur de déplétion du drain est la région de déplétion qui se forme près de la borne de drain lorsqu'une tension est appliquée à la borne de grille.
Potentiel de jonction intégré
-
(Mesuré en Volt)
- Le potentiel de jonction intégré fait référence à la différence de potentiel ou à la tension qui existe aux bornes d'une jonction semi-conductrice lorsqu'elle n'est pas connectée à une source de tension externe.
Tension de source de drain
-
(Mesuré en Volt)
- La tension source de drain est la tension appliquée entre le drain et la borne source.
Concentration dopante de l'accepteur
-
(Mesuré en Électrons par mètre cube)
- La concentration de dopage de l'accepteur fait référence à la concentration d'atomes accepteurs intentionnellement ajoutés à un matériau semi-conducteur.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Potentiel de jonction intégré:
2 Volt --> 2 Volt Aucune conversion requise
Tension de source de drain:
45 Volt --> 45 Volt Aucune conversion requise
Concentration dopante de l'accepteur:
1.32 Électrons par centimètre cube --> 1320000 Électrons par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
x
dD
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ
o
+V
DS
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(2+45))/(
[Charge-e]
*1320000))
Évaluer ... ...
x
dD
= 72113188.282716
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
72113188.282716 Mètre --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
72113188.282716
≈
7.2E+7 Mètre
<--
Profondeur de la région d'épuisement du drain
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
Tu es là
-
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Transistors MOS
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Profondeur de la région d'épuisement associée au drain
Crédits
Créé par
banuprakash
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Bangalore
banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Vérifié par
Dipanjona Mallick
Institut du patrimoine de technologie
(HITK)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
21 Transistors MOS Calculatrices
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Aller
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
= -(2*
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
)/(
Tension finale
-
Tension initiale
)*(
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension finale
)-
sqrt
(
Potentiel intégré des jonctions des parois latérales
-
Tension initiale
)))
Réduisez le courant dans la région linéaire
Aller
Courant de réduction de la région linéaire
=
sum
(x,0,
Nombre de transistors à pilote parallèle
,(
Mobilité électronique
*
Capacité d'oxyde
/2)*(
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*(2*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil
)*
Tension de sortie
-
Tension de sortie
^2))
Tension du nœud à une instance donnée
Aller
Tension du nœud à une instance donnée
= (
Facteur de transconductance
/
Capacité du nœud
)*
int
(
exp
(-(1/(
Résistance des nœuds
*
Capacité du nœud
))*(
Période de temps
-x))*
Courant circulant dans le nœud
*x,x,0,
Période de temps
)
Réduisez le courant dans la région de saturation
Aller
Courant de réduction de la région de saturation
=
sum
(x,0,
Nombre de transistors à pilote parallèle
,(
Mobilité électronique
*
Capacité d'oxyde
/2)*(
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*(
Tension de source de porte
-
Tension de seuil
)^2)
Temps de saturation
Aller
Temps de saturation
= -2*
Capacité de charge
/(
Paramètre de processus de transconductance
*(
Tension de sortie élevée
-
Tension de seuil
)^2)*
int
(1,x,
Tension de sortie élevée
,
Tension de sortie élevée
-
Tension de seuil
)
Courant de drain circulant à travers le transistor MOS
Aller
Courant de vidange
= (
Largeur de canal
/
Longueur du canal
)*
Mobilité électronique
*
Capacité d'oxyde
*
int
((
Tension de source de porte
-x-
Tension de seuil
),x,0,
Tension de source de drain
)
Délai lorsque le NMOS fonctionne dans une région linéaire
Aller
Région linéaire en temporisation
= -2*
Capacité de jonction
*
int
(1/(
Paramètre de processus de transconductance
*(2*(
Tension d'entrée
-
Tension de seuil
)*x-x^2)),x,
Tension initiale
,
Tension finale
)
Densité de charge dans la région d'épuisement
Aller
Densité de charge de couche d'épuisement
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
*
modulus
(
Potentiel des surfaces
-
Potentiel Fermi en vrac
)))
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain
Aller
Profondeur de la région d'épuisement du drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potentiel de jonction intégré
+
Tension de source de drain
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
Courant de drain dans la région de saturation du transistor MOS
Aller
Courant de drainage de la région de saturation
=
Largeur de canal
*
Vitesse de dérive des électrons de saturation
*
int
(
Charge
*
Paramètre de canal court
,x,0,
Longueur effective du canal
)
Potentiel de Fermi pour le type P
Aller
Potentiel de Fermi pour le type P
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration intrinsèque de porteurs
/
Concentration dopante de l'accepteur
)
Potentiel de Fermi pour le type N
Aller
Potentiel de Fermi pour le type N
= (
[BoltZ]
*
Température absolue
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentration de dopant du donneur
/
Concentration intrinsèque de porteurs
)
Profondeur d'épuisement maximale
Aller
Profondeur d'épuisement maximale
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potentiel Fermi en vrac
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
Potentiel intégré dans la région d’épuisement
Aller
Tension intégrée
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
*
modulus
(-2*
Potentiel Fermi en vrac
)))
Grande capacité de signal équivalente
Aller
Grande capacité de signal équivalente
= (1/(
Tension finale
-
Tension initiale
))*
int
(
Capacité de jonction
*x,x,
Tension initiale
,
Tension finale
)
Profondeur de la région d'épuisement associée à la source
Aller
Profondeur de la région d'épuisement de la source
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potentiel de jonction intégré
)/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
Coefficient de biais du substrat
Aller
Coefficient de biais du substrat
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentration dopante de l'accepteur
)/
Capacité d'oxyde
Capacité équivalente à grande jonction de signal
Aller
Capacité équivalente à grande jonction de signal
=
Périmètre du flanc
*
Capacité de jonction des parois latérales
*
Facteur d’équivalence de tension des parois latérales
Puissance moyenne dissipée sur une période de temps
Aller
Puissance moyenne
= (1/
Temps total pris
)*
int
(
Tension
*
Actuel
,x,0,
Temps total pris
)
Fonction de travail dans MOSFET
Aller
Fonction de travail
=
Niveau de vide
+(
Niveau d'énergie de la bande de conduction
-
Niveau de Fermi
)
Capacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulle par unité de longueur
Aller
Capacité de jonction des parois latérales
=
Potentiel de jonction des parois latérales sans polarisation
*
Profondeur du flanc
Profondeur de la région d'épuisement associée au drain Formule
Profondeur de la région d'épuisement du drain
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potentiel de jonction intégré
+
Tension de source de drain
))/(
[Charge-e]
*
Concentration dopante de l'accepteur
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
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