Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance du processus est le produit de la mobilité des électrons dans le canal et de la capacité de l'oxyde.ⓘ Paramètre de transconductance du processus [k'_n]			+10% -10%
✖Le rapport hauteur/largeur est le rapport entre la largeur du canal et la longueur du canal.ⓘ Ratio d'aspect [WL]			+10% -10%
✖La tension aux bornes de la diode est la tension appliquée aux bornes de la diode.ⓘ Tension aux bornes de la diode [V_d]			+10% -10%
✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%

✖Le courant total est le courant total ou modulé d'un modulateur AM.ⓘ Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle [I_t]

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Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant total = 1/2*(Paramètre de transconductance du processus*Ratio d'aspect)*(Tension aux bornes de la diode-Tension de seuil)^2
I_t = 1/2*(k'_n*WL)*(V_d-V_t)^2
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant total - (Mesuré en Ampère) - Le courant total est le courant total ou modulé d'un modulateur AM.
Paramètre de transconductance du processus - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance du processus est le produit de la mobilité des électrons dans le canal et de la capacité de l'oxyde.
Ratio d'aspect - Le rapport hauteur/largeur est le rapport entre la largeur du canal et la longueur du canal.
Tension aux bornes de la diode - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de la diode est la tension appliquée aux bornes de la diode.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance du processus: 0.02 millisiemens --> 2E-05 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Ratio d'aspect: 5 --> Aucune conversion requise
Tension aux bornes de la diode: 23.049 Volt --> 23.049 Volt Aucune conversion requise
Tension de seuil: 19.5 Volt --> 19.5 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_t = 1/2*(k'_n*WL)*(V_d-V_t)^2 --> 1/2*(2E-05*5)*(23.049-19.5)^2

Évaluer ... ...

I_t = 0.00062977005

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.00062977005 Ampère -->0.62977005 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.62977005 ≈ 0.62977 Milliampère <-- Courant total

(Calcul effectué en 00.008 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< Décalage CC Calculatrices

Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle

LaTeX Aller Courant total = 1/2*(Paramètre de transconductance du processus*Ratio d'aspect)*(Tension aux bornes de la diode-Tension de seuil)^2

Tension de sortie de l'amplificateur de tension

LaTeX Aller Tension de sortie = Tension source-(Courant de vidange*Résistance à la charge)

Tension de décalage du MOSFET avec charge de miroir de courant

LaTeX Aller Tension de décalage d'entrée = -(2*Tension de seuil)/Gain de courant d'émetteur commun forcé

Tension d'entrée différentielle maximale du MOSFET en fonction de la tension de surcharge

LaTeX Aller Signal d'entrée différentiel = sqrt(2)*Tension efficace

Courant de fonctionnement avec tension d'entrée différentielle Formule

LaTeX Aller

Courant total = 1/2*(Paramètre de transconductance du processus*Ratio d'aspect)*(Tension aux bornes de la diode-Tension de seuil)^2
I_t = 1/2*(k'_n*WL)*(V_d-V_t)^2

Qu'est-ce que la tension d'entrée différentielle?

La tension d'entrée différentielle est la tension maximale qui peut être fournie aux broches d'entrée (entrée non inverseuse) et d'entrée (entrée inversée) sans endommager ni dégrader les caractéristiques du circuit intégré.

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