Courant entrant dans la borne de drain de NMOS Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.ⓘ Tension de source de drain [V_ds]			+10% -10%
✖La tension de surcharge dans NMOS fait généralement référence à la tension appliquée à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.ⓘ Tension de surcharge en NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).ⓘ Courant entrant dans la borne de drain de NMOS [I_d]

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Courant entrant dans la borne de drain de NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)
I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds)
Cette formule utilise 6 Variables

Variables utilisées

Courant de drain dans NMOS - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Paramètre de transconductance de processus dans NMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.
Tension de source de drain - (Mesuré en Volt) - La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.
Tension de surcharge en NMOS - (Mesuré en Volt) - La tension de surcharge dans NMOS fait généralement référence à la tension appliquée à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus dans NMOS: 2 millisiemens --> 0.002 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 3 Micromètre --> 3E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension de source de drain: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Aucune conversion requise
Tension de surcharge en NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d = k'_n*W_c/L*V_ds*(V_ov-1/2*V_ds) --> 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43)

Évaluer ... ...

I_d = 0.239693

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.239693 Ampère -->239.693 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

239.693 Milliampère <-- Courant de drain dans NMOS

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

LaTeX Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

NMOS comme résistance linéaire

LaTeX Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

LaTeX Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS Formule

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Qu'est-ce que le courant de drain dans le MOSFET?

Le courant de drain en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de façon exponentielle avec V

Combien de courant un MOSFET peut-il gérer?

Les MOSFET à ampérage élevé comme le 511-STP200N3LL disent qu'ils peuvent gérer 120 ampères de courant.Le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde de métal, ou MOSFET en abrégé, a une résistance de grille d'entrée extrêmement élevée avec le courant circulant dans le canal entre la source et le drain étant contrôlé par la tension de grille.

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