✖Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans NMOS [k'n] | | | +10% -10% |
✖La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.ⓘ Largeur du canal [Wc] | | | +10% -10% |
✖La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.ⓘ Longueur du canal [L] | | | +10% -10% |
✖La tension de source de grille est la tension qui tombe aux bornes de la borne grille-source du transistor.ⓘ Tension de source de grille [Vgs] | | | +10% -10% |
✖La tension de seuil, également connue sous le nom de tension de seuil de grille ou simplement Vth, est un paramètre critique dans le fonctionnement des transistors à effet de champ, qui sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne.ⓘ Tension de seuil [VT] | | | +10% -10% |
✖La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.ⓘ Tension de source de drain [Vds] | | | +10% -10% |