Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension de surcharge dans NMOS fait généralement référence à la tension appliquée à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.ⓘ Tension de surcharge en NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖Le courant de drain de saturation en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.ⓘ Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective [I_ds]

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Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de drain de saturation - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain de saturation en dessous de la tension de seuil est défini comme le courant sous-seuil et varie de manière exponentielle avec la tension grille-source.
Paramètre de transconductance de processus dans NMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.
Tension de surcharge en NMOS - (Mesuré en Volt) - La tension de surcharge dans NMOS fait généralement référence à la tension appliquée à un appareil ou à un composant qui dépasse sa tension de fonctionnement normale.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus dans NMOS: 2 millisiemens --> 0.002 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 3 Micromètre --> 3E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension de surcharge en NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2

Évaluer ... ...

I_ds = 0.239701333333333

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.239701333333333 Ampère -->239.701333333333 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

239.701333333333 ≈ 239.7013 Milliampère <-- Courant de drain de saturation

(Calcul effectué en 00.008 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

LaTeX Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

NMOS comme résistance linéaire

LaTeX Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

LaTeX Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective Formule

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Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2

Quelle est la région de saturation?

La deuxième région est appelée «saturation». C'est là que le courant de base a augmenté bien au-delà du point où la jonction émetteur-base est polarisée en direct. En fait, le courant de base a augmenté au-delà du point où il peut provoquer une augmentation du flux de courant du collecteur.

Quelle est la condition pour qu'un NMOS soit en saturation?

Le MOSFET est en saturation lorsque V (GS)> V (TH) et V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Si j'augmente lentement la tension de grille à partir de 0, le MOSFET reste éteint. La LED commence à conduire une petite quantité de courant lorsque la tension de grille est d'environ 2,5 V.

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