Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS Calculatrice

✖Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.ⓘ Paramètre de transconductance de processus dans NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.ⓘ Largeur du canal [W_c]			+10% -10%
✖La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.ⓘ Longueur du canal [L]			+10% -10%
✖La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.ⓘ Tension de source de drain [V_ds]			+10% -10%

✖Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).ⓘ Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS [I_d]

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Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Courant de drain dans NMOS - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Paramètre de transconductance de processus dans NMOS - (Mesuré en Siemens) - Le paramètre de transconductance de processus dans NMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d'un transistor.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal fait référence à la quantité de bande passante disponible pour transmettre des données dans un canal de communication.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal peut être définie comme la distance entre ses points de départ et d'arrivée et peut varier considérablement en fonction de son objectif et de son emplacement.
Tension de source de drain - (Mesuré en Volt) - La tension de source de drain est un terme électrique utilisé en électronique et plus particulièrement dans les transistors à effet de champ. Il fait référence à la différence de tension entre les bornes Drain et Source du FET.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Paramètre de transconductance de processus dans NMOS: 2 millisiemens --> 0.002 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Largeur du canal: 10 Micromètre --> 1E-05 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur du canal: 3 Micromètre --> 3E-06 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Tension de source de drain: 8.43 Volt --> 8.43 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2

Évaluer ... ...

I_d = 0.236883

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.236883 Ampère -->236.883 Milliampère (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

236.883 Milliampère <-- Courant de drain dans NMOS

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

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Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

LaTeX Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

NMOS comme résistance linéaire

LaTeX Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

LaTeX Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS Formule

LaTeX Aller

Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ds)^2

Qu'est-ce que NMOS?

NMOS (MOSFET) est une sorte de MOSFET. Un transistor NMOS se compose d'une source et d'un drain de type n et d'un substrat de type p. Lorsqu'une tension est appliquée à la grille, des trous dans le corps (substrat de type p) sont chassés de la grille. Cela permet la formation d'un canal de type n entre la source et le drain, et un courant est conduit des électrons de la source au drain à travers un canal induit de type n. On dit que les portes logiques et autres dispositifs numériques mis en œuvre à l'aide de NMOS ont une logique NMOS. Il existe trois modes de fonctionnement dans un NMOS appelés coupure, triode et saturation. La logique NMOS est facile à concevoir et à fabriquer. Les circuits avec des portes logiques NMOS, cependant, consomment de l'énergie statique lorsque le circuit est inactif car le courant continu passe à travers la porte logique lorsque la sortie est faible.

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