Courant circulant dans le canal induit dans le transistor étant donné la tension d'oxyde Calculatrice

Courant de sortie = (Mobilité de l'électron*Capacité d'oxyde*(Largeur du canal/Longueur du canal)*(Tension aux bornes de l'oxyde-Tension de seuil))*Tension de saturation entre drain et source
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Cette formule utilise 8 Variables
Courant de sortie - (Mesuré en Ampère) - Le courant de sortie est le courant que l'amplificateur tire de la source de signal.
Mobilité de l'électron - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des électrons est définie comme l’ampleur de la vitesse de dérive moyenne par unité de champ électrique.
Capacité d'oxyde - (Mesuré en Farad par mètre carré) - la capacité de l'oxyde est la capacité du condensateur à plaques parallèles par unité de surface de grille.
Largeur du canal - (Mesuré en Mètre) - La largeur du canal est la dimension du canal du MOSFET.
Longueur du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur du canal, L, qui est la distance entre les deux jonctions -p.
Tension aux bornes de l'oxyde - (Mesuré en Volt) - La tension aux bornes de l'oxyde est due à la charge à l'interface oxyde-semi-conducteur et le troisième terme est dû à la densité de charge dans l'oxyde.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale nécessaire pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Tension de saturation entre drain et source - (Mesuré en Volt) - La tension de saturation entre le drain et la source dans un transistor est une tension entre le collecteur et l'émetteur nécessaire à la saturation.

(Calcul effectué en 00.004 secondes)