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Trou de densité actuelle Calculatrice

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✖Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.ⓘ Charge [q]			+10% -10%
✖La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.ⓘ Constante de diffusion pour PNP [D_p]			+10% -10%
✖La concentration d'équilibre des trous est une propriété caractéristique du matériau et est déterminée par des facteurs intrinsèques tels que l'énergie de la bande interdite et la température.ⓘ Concentration d'équilibre du trou [p_n]			+10% -10%
✖La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.ⓘ Largeur de base [W_b]			+10% -10%

✖La densité de courant de trou contribue au courant total dans un dispositif semi-conducteur et constitue un paramètre essentiel pour comprendre le comportement du semi-conducteur.ⓘ Trou de densité actuelle [J_p]

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Trou de densité actuelle Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Densité de courant de trou = Charge*Constante de diffusion pour PNP*(Concentration d'équilibre du trou/Largeur de base)
J_p = q*D_p*(p_n/W_b)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Densité de courant de trou - (Mesuré en Ampère par mètre carré) - La densité de courant de trou contribue au courant total dans un dispositif semi-conducteur et constitue un paramètre essentiel pour comprendre le comportement du semi-conducteur.
Charge - (Mesuré en Coulomb) - Charge une caractéristique d'une unité de matière qui exprime la mesure dans laquelle elle possède plus ou moins d'électrons que de protons.
Constante de diffusion pour PNP - (Mesuré en Mètre carré par seconde) - La constante de diffusion pour PNP décrit la facilité avec laquelle ces porteurs minoritaires diffusent à travers le matériau semi-conducteur lorsqu'un champ électrique est appliqué.
Concentration d'équilibre du trou - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'équilibre des trous est une propriété caractéristique du matériau et est déterminée par des facteurs intrinsèques tels que l'énergie de la bande interdite et la température.
Largeur de base - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la base est un paramètre important affectant les caractéristiques du transistor, notamment en termes de fonctionnement et de vitesse.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Charge: 5 Millicoulomb --> 0.005 Coulomb (Vérifiez la conversion ici)
Constante de diffusion pour PNP: 100 Centimètre carré par seconde --> 0.01 Mètre carré par seconde (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'équilibre du trou: 70 1 par centimètre cube --> 70000000 1 par mètre cube (Vérifiez la conversion ici)
Largeur de base: 8 Centimètre --> 0.08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

J_p = q*D_p*(p_n/W_b) --> 0.005*0.01*(70000000/0.08)

Évaluer ... ...

J_p = 43750

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

43750 Ampère par mètre carré -->4.375 Ampère par centimètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

4.375 Ampère par centimètre carré <-- Densité de courant de trou

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Rahul Gupta

Université de Chandigarh (UC), Mohali, Pendjab

Rahul Gupta a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!

Vérifié par Ritwik Tripathi

Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore

Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

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Conductivité de type N

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'équilibre de type N+Mobilité du silicium dopé par trous*(Concentration intrinsèque^2/Concentration d'équilibre de type N))

Conductivité ohmique des impuretés

LaTeX Aller Conductivité Ohmique = Charge*(Mobilité du silicium dopé électroniquement*Concentration d'électrons+Mobilité du silicium dopé par trous*Concentration des trous)

Impureté à concentration intrinsèque

LaTeX Aller Concentration intrinsèque = sqrt((Concentration d'électrons*Concentration des trous)/Impureté de température)

Tension de rupture de l'émetteur collecteur

LaTeX Aller Tension de rupture du collecteur et de l'émetteur = Tension de rupture de la base du collecteur/(Gain actuel du BJT)^(1/Numéro racine)