Calculateur PGCD

Zone transversale de jonction Calculatrice

Ingénierie Chimie Financier La physique Plus >>

↳

Électronique Civil Électrique Electronique et instrumentation Plus >>

⤿

Dispositifs à semi-conducteurs Amplificateurs Antenne et propagation des ondes Appareils optoélectroniques Plus >>

⤿

Jonction SSD Bande d'énergie et porteur de charge Électrons et trous Porteurs de semi-conducteurs

✖La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.ⓘ Frais totaux de l'accepteur [\|Q\|]			+10% -10%
✖La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.ⓘ Pénétration de charge de type N [x_no]			+10% -10%
✖La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%

✖La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.ⓘ Zone transversale de jonction [A_j]

⎘ Copie

👎

Formule

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Jonction SSD Formules PDF PDF Image

Zone transversale de jonction Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Zone de jonction - (Mesuré en Mètre carré) - La zone de jonction est la limite ou la zone d'interface entre deux types de matériaux semi-conducteurs dans une diode pn.
Frais totaux de l'accepteur - (Mesuré en Coulomb) - La charge totale de l'accepteur fait référence à la charge nette globale associée aux atomes accepteurs dans un matériau ou un dispositif semi-conducteur.
Pénétration de charge de type N - (Mesuré en Mètre) - La pénétration de charge de type N fait référence au phénomène par lequel des électrons supplémentaires provenant d'atomes dopants, généralement du phosphore ou de l'arsenic, pénètrent dans le réseau cristallin du matériau semi-conducteur.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration d'un atome accepteur ou dopant qui, lorsqu'il est substitué dans un réseau semi-conducteur, forme une région de type p.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Frais totaux de l'accepteur: 13 Coulomb --> 13 Coulomb Aucune conversion requise
Pénétration de charge de type N: 0.019 Micromètre --> 1.9E-08 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Concentration d'accepteur: 7.9E+35 1 par mètre cube --> 7.9E+35 1 par mètre cube Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a) --> 13/([Charge-e]*1.9E-08*7.9E+35)

Évaluer ... ...

A_j = 5.40570410906043E-09

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

5.40570410906043E-09 Mètre carré -->5405.70410906043 Micromètre carré (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

5405.70410906043 ≈ 5405.704 Micromètre carré <-- Zone de jonction

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électronique » Dispositifs à semi-conducteurs » Jonction SSD » Zone transversale de jonction

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< Jonction SSD Calculatrices

Capacité de jonction

LaTeX Aller Capacité de jonction = (Zone de jonction/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Décalage de longueur constante*Concentration de dopage de la base)/(Tension source-Tension d'alimentation 1))

Résistance série en type P

LaTeX Aller Résistance série dans la jonction P = ((Tension source-Tension de jonction)/Courant électrique)-Résistance série dans la jonction N

Tension de jonction

LaTeX Aller Tension de jonction = Tension source-(Résistance série dans la jonction P+Résistance série dans la jonction N)*Courant électrique

Largeur de type N

LaTeX Aller Pénétration de charge de type N = Frais totaux de l'accepteur/(Zone de jonction*Concentration d'accepteur*[Charge-e])

Zone transversale de jonction Formule

LaTeX Aller

Zone de jonction = Frais totaux de l'accepteur/([Charge-e]*Pénétration de charge de type N*Concentration d'accepteur)
A_j = |Q|/([Charge-e]*x_no*N_a)

Comment se forme une jonction semiconductrice ?

Les jonctions Pn sont formées en joignant des matériaux semi-conducteurs de type n et de type p, comme indiqué ci-dessous. ... Cependant, dans une jonction pn, lorsque les électrons et les trous se déplacent de l'autre côté de la jonction, ils laissent derrière eux des charges exposées sur les sites d'atomes dopants, qui sont fixés dans le réseau cristallin et sont incapables de se déplacer.

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!